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公开(公告)号：CN1901136A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610010244.3
申请日：2006-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置，它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源，存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源，存在设备投资大和采用破坏真空的方法，存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接，装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7)，公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触，推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13)，移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内，移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12)，阳极(5)位于阴极4的正下方，阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。
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公开(公告)号：CN1876320A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610010296.0
申请日：2006-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 常压等离子体抛光装置，它涉及一种抛光装置。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法存在的不足及在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易产生表层及亚表层损伤、表面清洗困难等问题。本发明的主要部件包括：密封工作舱(51)、等离子体炬(53)、第一联动系统(52)、第二联动系统(57)、第一流量控制器(60)、第二流量控制器(65)、反应气体瓶(61)、等离子体气体瓶(62)、气体回收处理装置(63)，等离子体炬(53)安装在第一联动系统(52)上。本发明可在常压下通过等离子体化学反应实现超光滑表面加工，不需要真空室，可降低设备成本并扩大其使用范围。加工效率是传统抛光方法的十倍，并且无表面损伤、无亚表层损伤、无表面污染。
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公开(公告)号：CN1864921A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610010156.3
申请日：2006-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 用于超光滑表面加工的电容耦合式射频常压等离子体炬，它涉及一种等离子体抛光设备。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、容易产生表层及亚表层损伤和现有的平行板式等离子体抛光方法中存在的加工痕迹难以消除，以及感应耦合式等离子体炬存在的内炬管易腐蚀，成本高，系统的维护性不好等问题。本发明阴极(6)的外壁与外套(9)的内壁之间形成水冷环形空间(13)，阳极水冷导管(1)设置在阳极(5)的内腔(16)内。本发明不需要真空室，本发明加工效率约是传统抛光方法的10倍。不会像真空等离子体那样对超光滑表面造成表面损伤、亚表层损伤和表面污染，实现了光学零件的高效率高质量加工。
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公开(公告)号：CN109811324B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910194342.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰，易出现靶中毒现象，薄膜的成分难以自由调节，沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源，通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。
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公开(公告)号：CN109811324A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910194342.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰，易出现靶中毒现象，薄膜的成分难以自由调节，沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源，通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107561609A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710724368.6
申请日：2017-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种复制制造Wolter-I型反射镜的工艺，其工艺流程为：复制所用的精密芯轴制造→PVD工艺涂敷DLC膜层→PVD工艺涂敷金膜反射层→电铸镜壳→对镜壳表面修整→利用脱模装置在低温制冷室内将反射镜从芯轴上释放→清洗反射镜表面。本发明在复制金膜和芯轴表面之间涂敷DLC作为脱膜层，可以有效防止脱模过程中金膜的破损，有利于复制金膜从芯轴上顺利脱下；镀金膜时在芯轴回转表面和两个端面同时进行，防止电铸过程中电铸镍从芯轴端面金膜与芯轴表面之间渗入；延长电铸时间，可以提高镜壳的强度，防止变形，而且易于脱壳、运输和安装；在低温室内通过辅助脱壳装置使芯轴与镜壳分离，避免了反射镜制造成本增加和健康危害。
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公开(公告)号：CN104264120B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410583267.8
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种用于轴承内外套圈批量处理的离子注入方法，本发明涉及离子注入批量处理轴承内外套圈的方法，它为了解决现有采用全方位离子注入法处理内外套圈效率低的问题。离子注入方法：一、清洗轴承内套圈；二、轴承内套圈置于双轴式对滚轮之间，相邻轴承内套圈彼此之间紧密接触，打开高压脉冲电源进行溅射清洗；三、向真空室中通入N2气，进行N离子注入；四、清洗轴承外套圈；五、轴承外套圈置于双轴式对滚轮之间，相邻轴承外套圈之间留有间隙，打开高压脉冲电源进行溅射清洗；六、向真空室中通入N2，进行N离子注入处理。通过本发明轴承内外套圈批量处理方法得到的轴承内外套圈剂量分布均匀，一次性处理数量多，提高了离子注入的效率。
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公开(公告)号：CN104988468A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510446323.8
申请日：2015-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积装置及使用其进行注入与沉积的方法，它涉及一种离子注入处理装置和方法。本发明的目的是要解决现有对绝缘材料进行金属等离子体浸没离子注入时无法实现绝缘材料表面积累电荷的中和，当表面累积电荷量增加一定程度时可能产生“打火”现象，严重时会使设备损坏的问题。装置包括气体等离子体源、金属栅网、高压靶台、被处理绝缘工件、负高压脉冲源、磁导管、金属阴极弧等离子体源和真空室。方法：向真空室内通入氩气，打开气体等离子体源，将气体等离子体源的功率调节至200W～400W，设定工作参数，启动，即完成注入与沉积的方法。本发明适用于在绝缘材料表面进行大面积金属离子注入与沉积。
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公开(公告)号：CN104966655A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510357767.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种环形碳纤维阴极及其制备方法，它涉及一种阴极及其制备方法。本发明的目的是要解决现有碳纤维阴极为平面形式阴极，无法对复杂工件表面进行均匀的辐照改性处理的问题。装置包括屏蔽环、螺孔、电极、环形内绝缘环、导电环和碳纤维束；所述的电极的内部设有环形内绝缘环，电极的上下两端均设有导电环；环形内绝缘环和导电环的上下两端均设有屏蔽环；碳纤维束的一端焊接在电极的通孔中，碳纤维束的另一端穿出环形内绝缘环的通孔。制备方法：一、制备环形内绝缘环和电极；二、制备碳纤维束；三、将电极和导电环固定，将电极和环形内绝缘环固定；四、将屏蔽环固定在环形内绝缘环和导电环的表面上。本发明可获得一种环形碳纤维阴极。
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公开(公告)号：CN104342629A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410583301.1
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: 一种提高轴承寿命的全方位离子注入方法，它涉及一种提高轴承寿命的方法。本发明的目的是要解决现有轴承存在寿命短，表层硬度低的问题，而提供一种提高轴承寿命的全方位离子注入方法。方法：一、超声清洗；二、将超声清洗后的轴承内圈放入到真空室中；三、轴承内圈外表面氮离子注入；四、将超声清洗后的轴承外圈放入到真空室中；五、轴承外圈内表面氮离子注入，完成轴承全方位离子注入。本发明可提高轴承的表层硬度1倍～2倍，轴承的寿命提高了2.8倍～3.5倍。本发明可获得一种提高轴承寿命的全方位离子注入方法。
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