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公开(公告)号：CN105243185A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510573837.X
申请日：2015-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于蒙特卡洛法的张拉整体结构找形方法，属于张拉整体结构静力学分析领域。针对缺乏相对应的程序，计算速度较低且缺乏对于基本概念的定义和特殊情况的处理方法的问题，本发明采取如下方法：步骤一、设定初始条件；步骤二、随机生成初始构型；步骤三、随机生成新构型并判断是否接受；步骤四、校验系统是否平衡；步骤五、得到找形结果。本发明对于张拉整体结构的找形计算中的特殊情况和技术问题进行了解决，从而加快了找形计算的速度；利用MATLAB编程实现了蒙特卡洛法对张拉整体结构的找形计算过程，可以快速准确得到其自平衡构型，效果显著。
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公开(公告)号：CN103792250B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410078385.3
申请日：2014-03-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微脱粘的陶瓷涂层寿命预测方法。所述涂层寿命预测方法为：将经过预处理的涂层试件装入真空管中，然后放入管式炉中进行热循环加载，当涂层经历了所规定的循环数节点时，取出完成特定循环数的试件，控制温度参数为：低温200～300℃，高温400～500℃，升降温速率2～5℃/min，高低温分别保温1h为一个循环；本发明提出了一种陶瓷涂层脱落失效的物理模型，并利用模型对实际陶瓷涂层进行了寿命预测，效果显著。
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公开(公告)号：CN103817056B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410102374.4
申请日：2014-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用微喷涂和微圆角阻止脆性涂层裂纹扩展的涂层延寿方法，其步骤为“运输之前对涂层表面进行检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则敲击裂纹尖端，在裂纹尖端产生微圆角：将零件或结构进行包装、运输；完成运输过程后，在零件或结构入库贮存前对涂层表面进行第二次检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则进行微圆角处理后，将零件或结构入库贮存；在使用前进行第三次检测，如果发现裂纹扩展的现象，则在使用前利用微喷涂或微刷涂的方法填充裂纹。本发明可以及时了解涂层表面和内部裂纹的产生和扩展情况，有效地阻止涂层表面裂纹的扩展，修复涂层表面已产生的裂纹，提高涂层零件和结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114421797B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111631250.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M7/5387 , H02M3/158 , H02M1/088 , H02J7/06
Abstract: 基于旋转磁场抵消法的三相两级集成九绕组电机充电系统，涉及三相两级集成九绕组电机充电技术领域。本发明是为了解决现有400V电池充电背景下的两级集成充电系统需要配备额外的电力电子器件和直流储能电感的问题。本发明当电动车工作于充电模式时，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，将驱动拓扑变换为两级充电拓扑。两级充电拓扑中，将部分绕组复用为充电模式下的网侧等效滤波电感，此时前级的AC/DC变换器利用驱动逆变器九个桥臂中的六个桥臂进行组建，并将剩余的绕组和逆变桥组成后级双向DC/DC变换器，包括DC/DC变换器所需的功率模块以及直流储能电感。整个系统无需额外构成后级变换器的任何元器件。
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公开(公告)号：CN111933514B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010806924.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法，本发明为了解决现有技术中难以在α‑Al2O3上获得(111)晶面Ir外延层的技术问题，制备方法：一、对α‑Al2O3(0001)进行超声清洗；二、将α‑Al2O3(0001)固定在样品托中，Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里；三、腔体抽真空；四、样品升温至一定温度；五、打开电子枪高压及靶材挡板，在样品表面沉积Ir外延层；六、沉积结束后关闭靶材挡板和电子枪高压；七、退火处理。本发明采用电子束蒸镀法制备(111)面Ir外延层的方法，制备的Ir外延层与α‑Al2O3之间热膨胀系数差异更小，结晶质量更优，结合力更强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114301325A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111628343.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于旋转磁场抵消法提升网侧电感的三相集成充电系统，涉及三相集成充电系统网侧滤波电感提升领域。本发明为了解决九绕组电机及其配套的驱动逆变器复用为充电系统在充电模式下，如何提升充电模式下网侧等效滤波电感数值的问题。本发明充电系统包括电池、DC/DC变换器、九桥臂半桥逆变器、电容Cdc、九绕组电机、多个三相开关和双相开关，该系统在充电模式下，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，从而将网侧等效滤波电感进行提升。本发明主要用于对三相集成充电系统网侧滤波电感进行提升。
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公开(公告)号：CN111933514A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010806924.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法，本发明为了解决现有技术中难以在α-Al2O3上获得(111)晶面Ir外延层的技术问题，制备方法：一、对α-Al2O3(0001)进行超声清洗；二、将α-Al2O3(0001)固定在样品托中，Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里；三、腔体抽真空；四、样品升温至一定温度；五、打开电子枪高压及靶材挡板，在样品表面沉积Ir外延层；六、沉积结束后关闭靶材挡板和电子枪高压；七、退火处理。本发明采用电子束蒸镀法制备(111)面Ir外延层的方法，制备的Ir外延层与α-Al2O3之间热膨胀系数差异更小，结晶质量更优，结合力更强。
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公开(公告)号：CN109023517B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN105177533B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN104499047A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410794743.0
申请日：2014-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法。所述衬底自下而上依次为Si衬底、TiN单晶籽晶层、金属氧化物单晶薄膜层、铱单晶薄膜层。本发明设计并制备了一种可异质外延生长大尺寸单晶金刚石的叠层，特别地，在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层，提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量，从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能；本发明由于使用了TiN缓冲层，整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行，使得外延成本大大地降低，同时基于Si衬底生长金刚石，可以更好地与电子信息工业相匹配。
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