公开(公告)号：CN110048699B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201910425463.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李斌兴 ,  王高林 ,  张容驰 ,  刘少博 ,  赵楠楠 ,  徐殿国

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687

Abstract: 一种抑制GaN半桥模块桥臂串扰的栅极驱动电路，属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，特别是涉及增强型GaN器件桥式电路串扰抑制方法。解决了使用GaN功率器件的桥式电路拓扑中，由于GaN功率器件开关速度非常快，在桥式电路拓扑中使用传统的驱动方式难以抑制串扰尖峰电压的问题。本发明包括两个典型驱动电路，且两个典型驱动电路分别用于对GaN半桥模块上桥臂中的功率开关管Q1和下桥臂的功率开关管Q2进行驱动；还包括两个辅助电路，两个辅助电路分别叠加在两个典型驱动电路后，抑制GaN半桥模块中上、下桥臂串扰尖峰电压。本发明主要用于对GaN半桥模块进行驱动。

公开(公告)号：CN110138195A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910439449.0

申请日：2019-05-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王高林 ,  李斌兴 ,  刘少博 ,  张容驰 ,  赵楠楠 ,  霍军亚 ,  朱良红 ,  徐殿国

IPC: H02M1/34 ,  G01R31/28

Abstract: 一种抑制GaN半桥模块电压尖峰与电流谐振的无损缓冲电路及其测试电路，属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域。本发明针对现有使用GaN功率器件的半桥模块，由于功率器件开关速度快而引起的电压与电流尖峰会危害系统稳定的问题。它主要由电感、电容与二极管依次并联后再与另一电容串联构成；所述无损缓冲电路连接在GaN半桥模块的上桥臂功率器件漏极与下桥臂功率器件源极之间。本发明在桥式电路拓扑的功率回路寄生电感电流变化时，可为其提供低阻抗回路，从而抑制了功率器件两端的尖峰电压，并可破坏GaN半桥模块中的电流谐振回路，从而避免模块出口处的电流振荡。