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公开(公告)号：CN101353356A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810137159.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F7/18
Abstract: 直接合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的制备方法。它解决了目前合成三烷氧基硅烷的直接法中硅铜混合物在反应前需进行预处理活化，而预处理活化都是在高温、惰性气氛下活化1～5h，不仅处理时间长、操作复杂，而且能耗大、转化率和选择性低，以及现有直接法中催化剂催化效能低的问题。合成方法：一、醇提纯、除水；二、硅粉真空干燥；三、将铜系催化剂、助催化剂和真空干燥的硅粉活化；四、将促进剂与经过活化的铜系催化剂、助催化剂和硅粉放入装有高沸点溶剂的反应釜，再通入步骤一提纯的醇反应，即得到三烷氧基硅烷。本发明方法三烷氧基硅烷选择性高达93％～98％，硅粉转化率高达95％～99％。
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公开(公告)号：CN110820323B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201911053729.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 一种碳纤维表面Si‑C‑O陶瓷抗氧化涂层的制备方法，本发明涉及碳纤维抗氧化涂层的制备方法。本发明是要解决现有的通过前驱体浸渍裂解法制备的碳纤维表面抗氧化涂层有孔隙和裂纹，造成材料性能降低的技术问题。本方法：将丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷的混合单体加入到氢氧化钾水溶液反应，然后过滤并将滤饼干燥，得到先驱体；再将先驱体溶解在二甲苯中，得到先驱体溶液；聚丙烯腈基碳纤维在先驱体溶液中重复浸渍干燥，然后在氩气气氛烧结，再重复浸渍、干燥、烧结，在碳纤维表面得到抗氧化Si‑C‑O陶瓷涂层。本发明的方法在碳纤维表面得到的抗氧化Si‑C‑O陶瓷涂层无裂纹和孔隙，可用于耐高温、抗氧化材料领域。
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公开(公告)号：CN102963543B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210498740.3
申请日：2012-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种六轮单驱动折叠可展摇臂式车载装置，它涉及一种车载装置，具体涉及一种六轮单驱动折叠可展摇臂式车载装置。本发明为了解决现有行星探测车车载机构的可折叠悬架展开时需要多个驱动源，且展开关节结构复杂，可靠性差的问题。本发明的前折叠悬架机构的一端与传动机构的前端连接，前折叠机构的另一端与一个前轮连接，每个前轮的转动轴分别与一个驱动电机的输出轴连接，中轮立臂的一端与前折叠悬架机构连接，中轮立臂的另一端与一个中轮连接，每个中轮的转动轴分别与一个驱动电机的输出轴连接，差动机构安装在车厢内，差动机构的两端分别各与一个传动机构连接，差动机构用于控制两个折叠悬架系统的展开与折叠。本发明用于行星探测。
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公开(公告)号：CN101671355A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910073021.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F7/18 , B01J27/128 , B01J23/72
Abstract: 一种采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的合成方法。本发明解决了现有三烷氧基硅烷的合成工艺中催化剂难以回收、反应效率低、产物不易分离，硅粉与铜系催化剂接触不良、硅铜触体生产率低、反应活性低，及催化剂遇水易失效、产物遇水易水解的问题。本发明的三烷氧基硅烷的合成方法是：一、制备含有不同氯化亚铜质量百分比的硅铜触体；二、将步骤一得到的硅铜触体分级装料至多层流化床反应器中；三、向多级流化床反应器中通入经正硅酸乙酯干燥后的醇气体反应合成得到三烷氧基硅烷。本发明的采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法三烷氧基硅烷选择性达到95％，反应转化率为95％。
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公开(公告)号：CN110668447B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911054722.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/977 , B82Y40/00
Abstract: 碳化硅纳米线的合成方法，它涉及一种碳化硅纳米线的合成方法。本发明是为了解决现有制备碳化硅纳米线的方法原材料浪费严重、成本高、结构不均匀、长径比低的技术问题。本方法如下：将处理后的生长基底放于坩埚内硅树脂的上方，将坩埚放于真空高温炉中在升温，保温，降温，即得。该方法在生长SiC纳米线的同时，在模具内部生成SiC纳米颗粒，这样可以极大的提高原料利用率从而降低了成本，同时合成了链珠状的SiC纳米线，特殊的链珠状结构使其在复合材料、场致发射体、光催化剂、储氢及疏水表面具有更大的应用潜力。链珠状纳米线的生成同时伴有超长超直的SiC纳米线的生成。产品结构均匀。本发明属于纳米线的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110734552B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201911053435.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/54 , C08G77/50 , C01B32/977
Abstract: 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法，本发明涉及硅碳树脂的制备方法，本发明是要解决现有的碳化硅多晶粉源的制备方法的纯度低、成本高的技术问题。本方法：在超声振荡条件下，将高纯聚合类单体和高纯催化类单体的混合液滴入温度为60～80℃超纯水中反应，反应完毕后过滤，得到硅碳树脂；再用高纯氩气对硅碳树脂除杂处理，过滤、干燥后，得到高纯碳化硅多晶粉源。本发明制备的高纯碳化硅多晶粉源中金属杂质含量在0.01～0.05ppm之间，金属杂质累计含量低于1ppm，且成本低，可用于高纯碳化硅热解制备领域。
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公开(公告)号：CN110820323A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911053729.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 一种碳纤维表面Si-C-O陶瓷抗氧化涂层的制备方法，本发明涉及碳纤维抗氧化涂层的制备方法。本发明是要解决现有的通过前驱体浸渍裂解法制备的碳纤维表面抗氧化涂层有孔隙和裂纹，造成材料性能降低的技术问题。本方法：将丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷的混合单体加入到氢氧化钾水溶液反应，然后过滤并将滤饼干燥，得到先驱体；再将先驱体溶解在二甲苯中，得到先驱体溶液；聚丙烯腈基碳纤维在先驱体溶液中重复浸渍干燥，然后在氩气气氛烧结，再重复浸渍、干燥、烧结，在碳纤维表面得到抗氧化Si-C-O陶瓷涂层。本发明的方法在碳纤维表面得到的抗氧化Si-C-O陶瓷涂层无裂纹和孔隙，可用于耐高温、抗氧化材料领域。
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公开(公告)号：CN110760291A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911055121.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 硅酸盐高温吸波复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法，属于吸波材料领域。本发明是为了解决现有的吸波材料加工复杂、成本较高、吸波性能较低的技术问题。本方法如下：一、SiO2气凝胶的合成；二、高温合成SiO2-铁氧体复合材料，得到SiC-铁氧体/碳质材料高温吸波复合材料；本发明方法制备工艺简单，操作简便，设备要求低，产率高；所用硅源和金属盐原料廉价易得，通过调节硅源和镍盐、铁盐或钴盐的浓度可以改变气凝胶和铁氧体的形貌；本发明的吸波复合材料在特定微波频段内如X波段(8-12GHz)和Ku波段(12-18GHz)，其反射损耗均低于-5dB，最大反射损耗达到-14dB，具有高介电损耗、厚度较薄以及密度低的优点。同时其吸波强度和吸波频段可控。
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公开(公告)号：CN110668446A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911053850.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/963
Abstract: 耐高温SiC气凝胶的制备方法，它涉及一种气凝胶的制备方法。本发明是为了解决现有制备SiC气凝胶的方法产率低、气凝胶的微观结构易破坏的技术问题。本方法如下：一、制备A液、B液并将A液、B液混合得水解液；二、制备湿凝胶；三、制备气凝胶；四、将气凝胶与镁粉反应后，清洗、干燥，即得SiC气凝胶。本发明采用镁热还原，在惰性气体保护下，将气凝胶前驱体还原为SiC气凝胶。成功避免了R1SiO1.5还原过程中SiO气体的产生，最大程度上保持产物形貌完整。经超临界干燥制备了孔道结构均一、形状完整的有机硅气凝胶。本发明属于气凝胶的制备领域。
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公开(公告)号：CN109181639A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811049851.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 一种SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及高温吸波复合材料及其制备方法。它是要解决现有的吸波材料制备工艺复杂、吸波范围较窄、无屏蔽效应的技术问题。本发明的吸波复合材料是以SiC为核，核外包覆SiO2层，在SiO2层上粘附着铁氧体粒子。制法：一、碳化硅表面预处理；二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO2；三、SiC@SiO2经敏化、活化后，在碱液中与制备铁氧体的盐、强还原剂进行反应，然后再焙烧，得到SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料。本材料在8～12GHz波段和Ku波段的反射损耗均低于-5dB，最大反射损耗达到-14dB，可用于吸波材料领域。
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