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公开(公告)号：CN119260244A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411608523.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于空心玻璃微珠复合钎料实现异种材料钎焊的方法，涉及异种材料钎焊技术领域。本发明为了解决传统异种材料之间以及母材和钎料之间钎焊过程中，由于热膨胀系数差异大导致钎焊接头强度低，以及向钎缝中添加增强相颗粒缓解残余应力存在增强相颗粒易团聚，影响接头力学性能稳定性的问题。本发明空心玻璃微珠复合钎料中的空心玻璃微珠具有较低的比表面积，有效避免了增强相在钎焊过程中发生团聚；同时空心玻璃微珠与钎料结合良好，无孔洞等缺陷存在，且玻璃微珠球形结构保留完好，显著降低了钎缝的热膨胀系数，有利于缓解钎焊时接头产生的残余应力，获得性能优异的钎焊接头。本发明可获得一种基于空心玻璃微珠复合钎料实现异种材料钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN119187745A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411370429.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 一种表面预金属化Y2O3‑MgO陶瓷与金属的间接钎焊方法，涉及一种Y2O3‑MgO陶瓷与金属的钎焊方法。为了解决Y2O3‑MgO纳米复相陶瓷与金属钎料难以发生冶金反应和润湿的问题。本发明通过在Y2O3‑MgO陶瓷的待焊表面制备Ag‑CuO‑Al2O3熔覆层实现预金属化，利用Ag‑CuO‑Al2O3熔覆层中活性主元CuO、Al2O3分别与Y2O3、MgO发生反应生成金属化反应层，使得Ag‑CuO‑Al2O3可在Y2O3‑MgO陶瓷表面实现完全平铺并实现界面良好的冶金结合。在真空钎焊过程，Ag基钎料在与Ag‑CuO‑Al2O3熔覆层实现良好结合的同时，也会与另一侧的金属形成可靠的连接，从而获得冶金结合良好的、无缺陷的钎焊接头。本发明Y2O3‑MgO陶瓷与金属的间接钎焊所得的连接接头室温抗剪强度达到67MPa。
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公开(公告)号：CN119187744A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411370425.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铝热还原表面改性辅助石英纤维增强二氧化硅复合材料与Invar合金钎焊的方法，涉及一种SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金钎焊的方法。为了解决活性钎料在SiO2f/SiO2复合材料表面的润湿性能差、以及界面结合强度低的问题，本发明将SiO2f/SiO2复合材料表面的SiO2还原为Si并生成Al的氧化物，钎焊后AgCuTi钎料与Al的氧化物反应生成Ti3Al相促进AgCuTi钎料在SiO2f/SiO2复合材料表面的铺展润湿从而改善润湿性；采用AgCuTi/Nb/AgCu复合中间层辅助钎焊SiO2f/SiO2复合材料和Invar合金，利用Nb阻隔Ti元素与Invar合金中Fe、Ni元素反应生成脆性金属间化合物，从而优化焊缝的组织结构，提高钎焊连接接头强度，进而提高焊接接头的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118893366A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411071698.6
申请日：2024-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种适用于钛合金薄壁结构件低熔蚀钎焊的复合钎料及其制备方法和应用，涉及一种非晶高熵复合钎料及其制备方法和应用。为了低溶蚀和高强度不可兼得的矛盾的问题。适用于钛合金薄壁结构件低熔蚀钎焊的复合钎料由两层TiZrHfCuNiCo非晶高熵箔片和一层Ti箔复合而成，一层Ti箔设置在两层TiZrHfCuNiCo非晶高熵箔片中间，TiZrHfCuNiCo非晶高熵箔片和Ti箔通过粘结剂或电阻点焊的方法复合在一起。复合钎料能够提高钎焊接头性能的同时有效降低母材的溶蚀，提高接头强度。复合钎料的主要产品形式为箔片，成分均匀、便于装配，且能较好的控制钎缝宽度，是理想的钎料材料，更适合投入实际生产，且能在母材低溶蚀的情况下大幅提高接头强度。
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公开(公告)号：CN116275695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310414360.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/32 , B23K35/30 , B23K35/40 , B23K1/00 , B23K103/14
Abstract: 一种适用于钛合金钎焊的高强低溶蚀高熵钎料及其制备方法和应用，涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。为了解决现有的Ti基钎料钎焊钛合金时易产生溶蚀缺陷的问题。高熵钎料按原子百分比计由20～30％的Ti、20～30％的Zr、20～30％的Hf、5～10％的Cu、5～10％的Ni和5～10％的Co组成。制备方法：称取原料进行熔炼得到钎料铸锭；然后通过单辊旋淬法制备成非晶态高熵钎料箔材。应用：钎焊钛合金，待焊接合金的待焊表面去除表面油污和氧化物，将料箔材置于焊接合金的待焊表面之间进行钎焊。本发明高熵钎料能够提高钎焊接头性能的同时有效降低母材的溶蚀，提高接头的强度，适用于钛合金的钎焊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114346519B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210212390.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种TiAl合金钎焊用高熵钎料及其制备方法和应用，属于焊接技术领域，具体涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。本发明高熵钎料由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni、Co组成，或由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni组成，高熵钎料中各元素的原子百分比相同。制备方法：按化学成分称取原料，制备高熵钎料锭，吸铸得到细棒状高熵钎料锭；切割成箔片。应用为利用高熵钎料钎焊TiAl合金。本发明借助高熵合金的理论，采用高熵钎料钎焊TiAl合金，利用高熵效应和迟滞扩散效应对于钎焊过程中母材与钎料的互扩散以及接头中的金属间化合物具有重要的抑制作用。接头中母材的溶解现象得到抑制，脆性化合物含量减少，接头高温强度的稳定性得到提高。
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公开(公告)号：CN115955901A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310057795.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 郑州机械研究所有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/817 , H10N10/17
Abstract: 一种利用表面毛化的阻隔层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及方钴矿热电材料与电极的连接技术领域。本发明的目的是为了解决现有针对方钴矿热电材料的焊接方法无法获得兼具高力学性能和低接触电阻接头的问题。方法：利用激光在阻隔层待焊面的表面刻蚀若干条平行的沟槽，将方钴矿热电材料与经毛化处理后的阻隔层进行一体化热压烧结，且阻隔层经毛化处理的一面朝向方钴矿热电材料；将钎料置于方钴矿热电材料与电极的待焊面之间，得到待焊工件A，对待焊工件A进行钎焊，或将方钴矿热电材料与电极的待焊面直接接触，得到待焊工件B，对待焊工件B进行扩散焊。本发明可获得一种利用表面毛化的阻隔层连接方钴矿热电材料和电极的方法。
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公开(公告)号：CN115319328A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211115362.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/24 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/14
Abstract: 一种用于焊接钛合金的非晶态高熵钎料、钎料的制备方法和钎焊钛合金的方法，涉及一种焊接钛合金的非晶态高熵钎料及制备方法和钎焊钛合金的方法。为了解决钛合金钎焊易产生脆性化合物的问题。钎料按原子百分比由15～35％的Ti、15～35％的Zr、15～35％的Cu、15～35％的Ni和2～8％的Sn组成。制备：称量好所需原料，原料进行熔炼得到钎料铸锭，使用单辊旋淬法制备非晶态高熵钎料箔材。钎焊钛合金的方法：将待焊表面打磨，将钎料箔材置于待焊表面之间，在钎焊炉中进行钎焊。本发明用于焊接钛合金的非晶态高熵钎料及制备方法，钎料具有优良的力学及耐蚀性能，与母材润湿性能良好，易于形成性能优良的钎焊接头。
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公开(公告)号：CN112427759B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202011163385.5
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，涉及一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。目的是解决现有ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊时钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解、以及接头残余应力大的问题。方法：Cu粉中加入ZrH2粉末，在Cu粉表面生长石墨烯，在加入ZrH2进行压片得到钎料箔片；组装后进行钎焊。本发明在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，降低了钎缝中脆性化合物占比，缓解了接头残余应力，提高了钎料对母材润湿性。避免了脆性化合物的生成，解决母材过度溶解的问题。本发明适用于ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊。
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公开(公告)号：CN114029601A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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