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公开(公告)号：CN102200480A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110070911.8
申请日：2011-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明的金刚石对顶砧上原位温度测量热电偶及其制备方法属于极端条件下原位温度测量装置的技术领域。本发明的W-Ta热电偶的结构是在一个金刚石压砧(1)表面沉积有氧化铝膜(2)；在氧化铝膜(2)上分别沉积有小于压砧表面积一半的钨膜(3)和钽膜(4)作热电偶的导电体，之间有氧化铝膜(2)隔断，钨膜(3)和钽膜(4)在砧面中心重叠接触作为热电偶接点。W-Ta热电偶通过薄膜制备技术和光刻技术制作在金刚石压砧(1)的表面。本发明的W-Ta热电偶与被测表面之间的对流换热变化也极其微小，对表面热传导的干扰极小，对温度响应更快，且测量结果更能反映被测表面的实际温度，实现高温高压条件下的原位温度测量。
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公开(公告)号：CN100545646C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710055801.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明的用于电学量原位测量的金刚石对顶砧及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积氧化铝绝热层1、2～4条相互绝缘的电极4、氧化铝保护层6；每条电极4的分布是自金刚石压砧的砧面到侧面，电极4在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔3内，电极4在侧面的端头裸露，并且接有电极引线5。氧化铝绝热层1、电极4、保护层6依次利用薄膜沉积技术和光刻手段集成到金刚石压砧上。本发明设计的绝热层和电极，有效的防止了热量的散失，显著减小了样品腔内的温度梯度，从而实现高温高压下电学量的测量，并使测量准确性得到保证。
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公开(公告)号：CN101509947A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810051718.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石对顶砧上原位电学测量的电极及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧(8)表面沉积4条电极(1)，分布是自金刚石压砧(8)的砧面到侧面；电极(1)是掺杂硼的金刚石膜；金刚石绝缘层(2)覆盖在金刚石压砧(8)的砧面、侧面和电极(1)上，电极(1)在砧面的端头裸露，裸露位置在样品腔(9)内，电极(1)在侧面的端头裸露，接有电极引线(5)。利用薄膜沉积技术、纳米引晶技术、掩膜技术和光刻手段将金刚石薄膜微电路和金刚石绝缘层同时集成到金刚石压砧表面上。本发明防止了横向剪切力对电极的破坏，克服了高压条件下样品对电极的腐蚀，从而拓宽了高压下电学量原位测量的研究领域。
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公开(公告)号：CN101078703A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710055801.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明的用于电学量原位测量的金刚石对顶砧及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积氧化铝绝热层1、2～4条相互绝缘的电极4、氧化铝保护层6；每条电极4的分布是自金刚石压砧的砧面到侧面，电极4在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔3内，电极4在侧面的端头裸露，并且接有电极引线5。氧化铝绝热层1、电极4、保护层6依次利用薄膜沉积技术和光刻手段集成到金刚石压砧上。本发明设计的绝热层和电极，有效的防止了热量的散失，显著减小了样品腔内的温度梯度，从而实现高温高压下电学量的测量，并使测量准确性得到保证。
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公开(公告)号：CN117643906A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311632910.7
申请日：2023-12-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明是一种调控卤化氧铋电导率的方法，在室温条件下，在金刚石对顶砧装置中，样品加入至金刚石对顶砧装置中，利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力，通过对施加压力的控制卤化氧铋的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控卤化氧铋电导率的方法，通过压力大小控制，进而控制卤化氧铋的电导率，为卤化氧铋在光电领域的应用指明了新的方向和思路，对于拓展卤化氧铋的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117509659A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311633645.4
申请日：2023-12-01
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/12
Abstract: 本发明涉及一种调控四硼酸锂电学参数的方法，在室温条件下，在金刚石对顶砧装置中，将四硼酸锂样品加入至金刚石对顶砧装置中，利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力，通过对施加压力的控制，调控四硼酸锂的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控四硼酸锂电学参数的方法，通过压力大小的控制，进而控制四硼酸锂电学参数，为四硼酸锂作为电池正极材料应用提供一个新的方向，对于拓展四硼酸锂的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115575454A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211163406.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种调控KH2PO4电导率的方法，在室温条件下，在金刚石对顶砧装置中，将KH2PO4样品加入至金刚石对顶砧装置中，利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力，通过对施加压力的控制，调控KH2PO4的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控KH2PO4电导率的方法，通过压力大小的控制，进而控制KH2PO4的电导率，为KH2PO4在光电领域的应用指明了新的方向和思路，对于拓展KH2PO4的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115575453A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211161834.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种调控LiMn2O4电学参数的方法，在室温条件下，在金刚石对顶砧装置中，将LiMn2O4样品加入至金刚石对顶砧装置中，利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力，通过对施加压力的控制，调控LiMn2O4的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控LiMn2O4电学参数的方法，通过压力大小的控制，进而控制LiMn2O4电学参数，为LiMn2O4作为电池正极材料应用提供一个新的方向，对于拓展LiMn2O4的功能特性和应用领域具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115312621A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210911800.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种提高BiFeO3光电转化效率的方法，在室温条件下，在金刚石对顶砧装置中，将BiFeO3样品加入至金刚石对顶砧装置中，利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力，通过对施加压力的控制，提高BiFeO3的光电转换效率。本发明的技术方案所提出的一种提高BiFeO3的光电转化效率的方法，为BiFeO3在光电领域的应用指明了新的方向和思路，通过压力减小BiFeO3的能带带隙，从而使更多可见光可以被材料吸收，使BiFeO3的光电转化效率得到显著提高。
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公开(公告)号：CN113777410A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111028922.X
申请日：2021-09-02
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明的一种测量BaTiO3介电常数的方法，属于高压测量电磁学测量的技术领域。步骤包括：将研磨成细小粉末的BaTiO3样品放入到制备好的样品腔中，在样品腔的外侧，布上两根电极，将样品腔内部压强在0‑18GPa范围内逐渐增大，利用阻抗谱测量仪进行高压原位阻抗谱测试，得到在不同压力下的阻抗实部和阻抗虚部的关系图，等效电路拟合得到晶界电阻、晶粒电阻以及总电阻随压力变化的关系，利用相对介电常数公式进行计算得到BaTiO3介电常数在不同压力下的数值。本发明提供了一种可以测量BaTiO3电磁学性质新方法，以满足BaTiO3压电元件对于不同电磁学性质的需求。同时本发明操作简单，分析较为容易。
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