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公开(公告)号：CN111243809A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010132239.X
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用，其包含：R、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.2％；Cu的含量0.393％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量小于0.08％；R-T-B系永磁材料中不含有Co；R-T-B系永磁材料包含R2Fe14B主相、晶界相和富稀土相；其中，晶界相包含R6Fe13Cu；R6Fe13Cu的体积分数为≥3.5％。本发明钕铁硼材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
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公开(公告)号：CN111009369A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010019452.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22D11/06 , B22F3/10 , B22F9/02 , C21D6/00 , C21D9/46 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料包含下述组分：R：26-33wt％；M：0-3wt％，但不为0；N：0.2-1.0wt％；B：0.85-0.96wt％；余量为Fe；其中：R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；N为Cu和/或Ga。本发明中的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，且该工艺方法简单、利于量产。
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公开(公告)号：CN110957125A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911350700.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼永磁材料的烧结方法、钕铁硼永磁材料。该烧结方法中，烧结的压力为绝对压力50Pa～90kPa。由本发明烧结方法制得的钕铁硼永磁材料的外层与内核的稀土相比例差异小于0.15％；外层与内核的Br绝对值差值小于0.05kGs；外层与内核的Hcj绝对值差值小于0.5kOe；钕铁硼永磁材料在50％湿度环境下放置，可达180天未生锈，抗氧化能力强。
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公开(公告)号：CN110957092A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911316028.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该R-T-B系磁体材料的原料组合物以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：>1.05％；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。本发明的R-T-B系磁体材料使用了较高含量的Pr结合较高含量的Ga的配方，使得R-T-B系磁体材料在显著提升矫顽力的同时还可维持较高的剩磁。
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公开(公告)号：CN110880392B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201911190314.1
申请日：2019-11-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/60 , C22C38/14 , C22C38/12 , C22C38/16 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C33/02
Abstract: 本发明公开了钕铁硼合金粉末、钕铁硼磁体材料及制备方法和应用。其中，钕铁硼合金粉末，以质量百分比计，其包括以下含量的组分：R：29.5～31.5wt％，R为稀土元素，R中至少包括Nd；B：0.85～0.92wt％，S：0.1～0.5wt％，Fe：64～68wt％；N：0.2～0.6wt％；N包括Zr、Nb、Hf和Ti中的一种或多种；N与S的质量比为(1～4.1)：1，其中S来源于硫单质和/或氧化硫。采用该钕铁硼合金粉末得到的钕铁磁体材料在减少了重稀土元素的使用甚至不添加重稀土元素的情况下，仍然能显著的提高磁体材料的矫顽力和剩磁。
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公开(公告)号：CN110957125B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201911350700.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼永磁材料的烧结方法、钕铁硼永磁材料。该烧结方法中，烧结的压力为绝对压力50Pa～90kPa。由本发明烧结方法制得的钕铁硼永磁材料的外层与内核的稀土相比例差异小于0.15％；外层与内核的Br绝对值差值小于0.05kGs；外层与内核的Hcj绝对值差值小于0.5kOe；钕铁硼永磁材料在50％湿度环境下放置，可达180天未生锈，抗氧化能力强。
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公开(公告)号：CN111312464B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010132232.8
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该永磁材料包含下述组分：R：28.45‑33.1wt％；Ga：＞0.35wt％；Al：0.08‑0.125wt％；B：0.835‑0.945wt％；Fe：64.2‑69.5wt％；其中：当永磁材料包含Ti时，Ti的含量为0.15‑0.26wt％；当永磁材料包含Zr时，Zr的含量为0.2‑0.355wt％；当永磁材料包含Nb时，Nb的含量为0.19‑0.51wt％；所述R‑T‑B系永磁材料中不含有Co。该永磁材料磁性能优异，退磁曲线光滑，无台阶，相对磁导率低，磁体性能一致性好。
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公开(公告)号：CN113066626A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110344567.0
申请日：2021-03-26
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料包括如下质量含量的组分：R，28.5～32.0mas％；R为至少含有Nd的稀土元素；Cu，0.15～0.20mas％；Ga，≥0.60mas％；B，≥0.99mas％；Fe，64～68mas％；Zr，0.25～0.44mas％；N，0.20～0.60mas％；N为Ti、Nb和Hf中的一种或多种；百分比为各组分质量占R‑T‑B系永磁材料总质量的质量百分比。本发明中R‑T‑B系永磁材料的重稀土元素分布均匀，且磁体性能优异、性能均一。
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公开(公告)号：CN111599564A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010479904.2
申请日：2020-05-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系磁性材料及其制备方法。本发明提供了一种R-T-B系磁性材料，以重量百分比计，其包含下述组分(1)～(6)：(1)29.50wt.％～33.00wt.％的R；所述的R为稀土元素，其包含Pr和RH；所述的Pr≥15.00wt.％；所述的RH包含Tb和/或Dy；(2)0.24wt.％～0.80wt.％的Cu；(3)0.05wt.％～0.50wt.％的Ti、和/或、0.10wt.％～1.20wt％.的Nb；(4)0wt.％～1.52wt.％的Al；(5)0.90wt.％～1.03wt.％的B；(6)0.05wt.％～1.50wt.％的Ga。该材料具有较佳的剩磁、矫顽力等。
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公开(公告)号：CN111312464A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010132232.8
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该永磁材料包含下述组分：R：28.45-33.1wt％；Ga：＞0.35wt％；Al：0.08-0.125wt％；B：0.835-0.945wt％；Fe：64.2-69.5wt％；其中：当永磁材料包含Ti时，Ti的含量为0.15-0.26wt％；当永磁材料包含Zr时，Zr的含量为0.2-0.355wt％；当永磁材料包含Nb时，Nb的含量为0.19-0.51wt％；所述R-T-B系永磁材料中不含有Co。该永磁材料磁性能优异，退磁曲线光滑，无台阶，相对磁导率低，磁体性能一致性好。
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