一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110663107A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201880029289.6

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种R-T-B系磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116564638A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202210116237.0

    申请日:2022-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系磁体及其制备方法和应用。该R‑T‑B系磁体包括R、Fe、B和M;R为稀土元素;M包括Al、Cu和Ga中的一种或多种;R‑T‑B系磁体包括主相晶粒A、晶界相A、主相晶粒B和晶界相B;在距离R‑T‑B系磁体的外表面向内的深度100μm的区域内,含有5%~60%的主相晶粒A,百分比为主相晶粒A的体积占距离R‑T‑B系磁体的外表面向内的深度100μm的区域的体积的百分比。本发明的R‑T‑B烧结磁体中Br≥13.4kGs;Hcj≥25.86kOe,且具备较高的方形度。

    钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111223625B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202010121473.2

    申请日:2020-02-26

    Abstract: 本发明提供了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。所述原料组合物包括:R:28~33wt%;R包括R1和R2,所述R1为熔炼时添加的稀土元素,所述R1包括Nd和Dy;所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素,所述R2包括Tb,所述R2的含量为0.2wt%~1wt%;M:≤0.4wt%且不为0wt%,所述M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种;Cu:≤0.15wt%、且不为0wt%;B:0.9~1.1wt%;Fe:60wt%~70.88wt%;原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110106334B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201810306660.0

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN109735687A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201811215366.5

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法

    公开(公告)号:CN110070986B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201910408822.6

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法,包括以下步骤:在耐高温载体上形成干燥层的工程A,所述干燥层附着有HRE化合物粉末,所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种;在真空中或惰性气氛中,对所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁体和所述经过工程A处理的所述耐高温载体进行热处理,向所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗,并在升高矫顽力的同时,控制磁铁剩磁Br的损失。

    一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法

    公开(公告)号:CN107871602A

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201610850051.2

    申请日:2016-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法,包括以下步骤:在耐高温载体上形成膜的工程A,所述膜中附着有HRE化合物粉末,所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种;将所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁和经过所述工程A处理的所述耐高温载体放置在处理室内,在真空中或惰性气氛中,对所述R-Fe-B系稀土烧结磁体和所述耐高温载体进行热处理,从所述耐高温载体向所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗,并在升高矫顽力的同时,控制磁铁剩磁Br的损失。

    一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法

    公开(公告)号:CN110070986A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201910408822.6

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明公开了一种R-Fe-B系稀土烧结磁铁的晶界扩散方法、HRE扩散源及其制备方法,包括以下步骤:在耐高温载体上形成干燥层的工程A,所述干燥层附着有HRE化合物粉末,所述的HRE是选自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一种;在真空中或惰性气氛中,对所述R-Fe-B系稀土烧结磁体和所述经过工程A处理的所述耐高温载体进行热处理,向所述R-Fe-B系稀土烧结磁铁的表面供给HRE的工程B。该方法可降低重稀土元素的消耗,并在升高矫顽力的同时,控制磁铁剩磁Br的损失。

Patent Agency Ranking