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公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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公开(公告)号：CN117130084A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589816.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器，包括可见光透明衬底和介质滤波器，介质滤波器由两组介质膜组成，记第一介质膜组A，第二介质膜组B；第一介质膜组A控制长波长通道的位置，第二介质膜组B控制短波长通道的位置；可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置，实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高，能够减少目标波长的损失，同时滤波通道的半高宽窄，可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中，使显示的色纯度高和稳定性高。
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公开(公告)号：CN116895681A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310803186.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112047297A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010913805.0
申请日：2020-09-03
Applicant: 南昌大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法，包括微区加热阵列和程序控制系统，所述的微区加热阵列包括：电极层I、电极层II、n个微区加热单元，n≧64，其中，电极层I包括了n个电极I的阵列和引线I部分，电极层II包括了n个电极II的阵列和引线II部分。本发明提供的一种可定位温控的微区加热阵列，可以对阵列中指定位置进行温度控制；所述的可定位温控的微区加热阵列同时具备独立的温控驱动功能和独立的半导体微纳集成元件驱动功能；可选择性转移半导体微纳集成元件，解决了大批量、有选择性的转移、去除、焊接、和修补半导体元件的问题；有利于提高生产良率和后期维护的工作。
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公开(公告)号：CN102522507A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110405993.7
申请日：2011-12-08
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种薄膜诱导活性层取向法制备柔性衬底有机薄膜太阳能电池的方法，用卷对卷的方法制备太阳能电池各层，其特征是采用表面包覆取向好的聚酰亚胺薄膜的金属锟对有机薄膜太阳能电池活性层材料进行锟压，实现活性层液晶诱导取向。本发明薄膜诱导取向活性层制备柔性衬底有机薄膜太阳能电池的方法，提高了聚合物链段排列的有序性，从而提高活性层材料中电子给体材料和电子受体材料的分散性和结晶性，得到具有高度有序微观结构的活性层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102391479A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110277995.2
申请日：2011-09-19
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 功能基封端的基于N-取代咔唑和氟代苯并噻二唑共轭聚合物及制备和应用，所述聚合物结构如下：选用稠环大共轭、刚性共平面的咔唑为给体单元，具有强吸电子性的氟代苯并噻二唑为受体单元，不含氟、含多个氟的苯基、含氟烷基为封端基。本发明共轭聚合物应用于太阳能电池活性层，制备的太阳能电池器件性能分别为：标准模拟太阳光（AM1.5G,100mW/cm2）照射下，开路电压=0.61-0.89V；短路电流=10.56-12.85mA/cm2；填充因子=45-61%；能量转化效率=5.30-6.97%。
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公开(公告)号：CN101613475A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910115704.2
申请日：2009-07-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种有机酸催化制备MQ硅树脂，其特征是制备方法为：在带有机械搅拌和回流冷凝装置的反应器中加入四官能团单体与封端剂，加入的四官能团单体与封端剂摩尔比例为：90～30∶10～70，然后缓慢加入有机酸催化剂，有机酸催化剂用量为占总重量的0.1～5％，升温至115℃反应10h，得到液体或固体状的MQ硅树脂。本发明的优点是：催化剂不含无机离子，所制得的MQ硅树脂中无机离子含量较低，将其用作加成型或缩合型硅橡胶的补强剂，所得产品可用于电子器件的封装，能提高硅橡胶的耐老化性能，延长封装材料的使用时间，从而增加电子器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119836078A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510000195.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法，包括以下步骤：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；在Micro‑LED器件上制备介质层，介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；固化介质层；使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，无需制备掩膜和光刻，且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度，工艺简单；同时，由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步，该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题，能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层，增加钝化结构的抗蚀刻性，提升器件制造良率。
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公开(公告)号：CN118867064A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833996.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法，通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽，同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前，对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离，实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽，不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构，具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点，实际应用价值高。
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公开(公告)号：CN118538835A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410713135.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。
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