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公开(公告)号：CN117517932A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311844340.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法，通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器；通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应；通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作；通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行；通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量；通过比较电路判断测试TSV是否存在故障；通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求，减少了硬件面积的占用，测试过程高度自动化，芯粒测试成本下降。
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公开(公告)号：CN116151133A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310426866.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06F30/17 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/086 , G06F111/10 , G06F113/22
Abstract: 本发明公开了基于机器学习的模块封装注塑工艺参数预测方法，通过蚁群算法优化BP神经网络参数并进行寻优最佳工艺参数的方法，首先根据注塑产品的具体生产情况和质量指标选择工艺参数作为影响因素设计响应面试验；其次将响应面实验设计获得的均匀试验数据划分为训练数据和测试数据，利用蚁群算法优化BP神经网络模型参数并构建BP神经网络模型，得到注塑工艺参数与质量指标之间的非线性映射关系；最后再利用蚁群算法寻找极值以及对应的最佳工艺参数。本发明能够在当涉及多变量及变量范围差异较大时有效确定最优的变量值、获得最佳工艺参数，预测精度较高，能够有效提高注塑产品的生产质量。
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公开(公告)号：CN115933795A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310016707.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域，包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路，工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工艺角变化；负温度系数偏置产生电路用于产生与绝对温度负相关的电压；电流基准输出级电路用于输出基准电流，从而针对不同工艺角的变化引入基于栅极补偿MOS管阈值电压温度系数的电流基准，既得到了pA级的基准电流，也减小了芯片面积，提高了系统的工作性能。
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公开(公告)号：CN115295065B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211224306.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路，电路核心结构位于中介层，包括灵活可配置模块FCM、控制信号配置模块和测试状态控制模块；FCM采用双路斜对称结构，实现水平方向及垂直方向的数据传输；控制信号配置模块连接所有FCM的控制信号，控制着所有FCM的数据传输方向以及导通和截断状态；测试状态控制模块控制着FCM和控制信号配置模块内部数据的移位和更新操作。本发明可满足多种场景芯粒的测试需求，实现对原有DFT测试逻辑的复用，满足芯粒即插即用的策略，提升测试的灵活性和可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212914B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910653701.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器，包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列，负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn，负阻模块的正端口连接电感L的上端，负阻模块的负端口接电感L的下端；负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极，负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极；PMOS晶体管Mp的源极接电源，NMOS晶体管Mn的源极接地；电感L与多阶桥接电容阵列并联；本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构，在原来频率分辨率的基础上，使得频率分辨率提高为原来的几百倍，从而获得更高精度的频率分辨率，同时具有较高的线性度、频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113746464A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108054194B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN109884873A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366965.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用动态阈值技术的时间数字转换器，适用于近阈值电源电压环境下，包括游尺延迟线TDC电路和编码器电路，其中游尺延迟线TDC电路判别START和STOP信号的时间差，并以二进制的形式输出相应的结果。由于采用较低的电源电压，晶体管的过驱动电压不足，电路工作的电流会减小，因此游尺延迟线TDC的工作时间将大幅度的延长。本发明采用动态阈值技术，将晶体管的衬底与栅端相连，这样衬底的电位会随着栅电压的变化而变化，晶体管的阈值电压会大幅度降低，源漏电流也会增加，也能最大程度地避免泄露电流的产生，提高了电路的速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108758189A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483582.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于成像辐射计的扫描平台，包括T字形支架；第一直线位移机构，第二直线位移机构，油泵，连通所述直线位移机构和一油箱；控制器，其连接所述直线位移机构和油泵；以及上位机，其与所述控制器通过串口进行通信，所述上位机上设置有显示装置；所述直线位移机构包括：驱动机构，第一导轨，第一滑块，其滑动设置在所述第一导轨内，第二导轨，其设置在所述第一导轨上端，第二滑块，其滑动设置在所述第二导轨内，第三滑块，其连接在所述第二滑块上端，测距模块，其中，油泵通过一电磁阀与所述第二导轨的内部端头空间连通，所述电磁阀上设置有一流量计。本发明解决了扫面平台上滑台移动距离不精确的技术问题。
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