公开(公告)号：CN107099845B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201710269810.0

申请日：2017-04-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  吕洋洋 ,  李啸 ,  陈延彬 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。

公开(公告)号：CN1290982A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00119007.5

申请日：2000-10-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱永元 ,  祝世宁 ,  秦亦强 ,  张超 ,  陈延彬 ,  王惠田 ,  何京良 ,  闵乃本

IPC: H01S3/109

Abstract: 准周期介电体超晶格材料及设置方法,用铁电单晶材料制成准周期电畴,其参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件:该准周期结构是由A、B两个基元按准周期序列排列构成,该序列可以用投影的方法得到,即在一个二维正方点阵中做一条斜率为tanθ的直线,投影区域宽度为sinθ+cosθ,区域内格点向该直线的投影点构成了投影角为θ的二组元准周期序列。本发明将准周期结构材料来实现耦合参量过程的多重准位相匹配。