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公开(公告)号：CN103227184A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310126156.X
申请日：2013-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极（2）或源极（7），若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列（BL）的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线（WL）将栅极（3）连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。
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公开(公告)号：CN102938409A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210442007.X
申请日：2012-11-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374
Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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公开(公告)号：CN119521812A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411431535.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件，属于光电探测器与存储器领域。该多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件包括形成在半导体衬底中沿垂直方向依次排布的电荷读取层、电荷转移层和电荷存储层。其中电荷读取层为具备将电荷信号转化为电压或电流信号的读出功能以及将电荷信号重置为初态的复位功能的半导体器件，电荷转移层具备将电荷信号沿垂直方向转移的功能，电荷存储层具备存储单个或多个电荷包的功能，通过对不同层施加适当的电压，探测单元可以实现感光、转移、读取和复位。本发明的器件将光电探测功能从平面转为立体，可进行多光谱探测、光电倍增、数据存储等应用。
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公开(公告)号：CN119247089A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411438142.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试方法，属于成像探测器件的噪声测试技术领域。本发明的复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试系统中待测的复合介质栅光敏探测器通过晶圆测试探针台的4个端口向外连接；电流电压信号采样分析仪的三个端口通过晶圆测试探针台连接到复合介质栅光敏探测器的漏、衬底和源电极，第四个端口连接到非稳态激励函数信号发生器的触发输入端口；非稳态激励函数信号发生器的信号输出端口通过晶圆测试探针台连接到光敏探测器的控制栅电极；经过硬件部分验测试后得到的实验原始数据将存储在电流电压信号采样分析仪中。本发明能实现从器件级的层面去获得芯片中某一个具体像素器件的噪声数据。
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公开(公告)号：CN116978976A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311148404.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G06E3/00
Abstract: 本发明公开了一种高光电转换效率的光电计算单元，光电计算组件及光电计算单元的制备方法。所述的光电计算单元进行了大间距的源端和漏端设计，并使源端和漏端分别与栅极区域之间具有小梯度的离子掺杂浓度分布，使装置实现高水平的光输入效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799379A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211645057.8
申请日：2022-12-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，感光晶体管和读取晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括第一底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅，读取晶体管设有源端和漏端，读取晶体管的衬底上还依次设有第二底层介质层和选择栅，第二底层介质层和选择栅与复合介质栅为独立的两部分。本发明光敏探测器的读出方式包括通过在线性区读电流的方式或者通过源跟随读电压的方式。本发明基于多栅结构的复合介质栅光敏探测器为传统的复合介质栅光敏探测器提供了降低噪声和多种读出方式和工作模式的选择，为复合介质栅光敏探测器在成像应用上提供了更多的选择和功能。
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公开(公告)号：CN115719600A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211442822.6
申请日：2022-11-16
Applicant: 南京大学
IPC: G11C5/02 , G11C11/409 , G11C11/4094 , G11C11/408 , G11C11/402 , G11C7/12 , G11C8/08
Abstract: 本公开提供了一种存储单元、存储的方法、存储阵列、存储器及其制备方法。所述方法采用至少一个三维动态随机存储单元，在选定的用于存储信息的栅极层上施加适当的电压，使栅极层控制的电荷耦合层进行信息的动态随机存储，并且使第一和第二掺杂类型材料层配合对涉及的信息进行写入和复位；在选定的用于读出的栅极层上施加适当的电压，使栅极层控制的信号读取层的导通能力改变，使第三和第四掺杂类型分别作为信号读取层的源和漏，读出与信息有关的电压或电流；对多个栅极层上所存储的信息进行垂直方向上逐层或水平方向上逐区堆叠的方式进行信息存储。根据本公开提供的方法可以实现写入通路与读取通路的分离，具有高存储密度、高速且低功耗等特点。
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公开(公告)号：CN108008402B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711236516.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01S17/08 , G01S7/4863
Abstract: 本发明公开了一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列，包括单点探测面、整形电路、“与”处理电路和“或”处理电路。其中，单点探测面由多个探测单管以n×n(n≥2)的形式排布集成，探测单管包括单光子雪崩二极管和淬灭电路；每个探测单管的输出信号分别由各自的整形电路整形成脉冲方波信号，每两路脉冲方波信号为一组输入“与”处理电路，经过“与”处理电路处理过的所有信号再经过“或”处理电路处理，产生最终的输出信号。本发明的探测器阵列可有效降低由暗计数和杂散光噪声带来的误触发，能在保证探测效率的同时，保证测距准确度，可实现更高灵敏度的激光测距。
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公开(公告)号：CN108008402A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711236516.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列，包括单点探测面、整形电路、“与”处理电路和“或”处理电路。其中，单点探测面由多个探测单管以n×n(n≥2)的形式排布集成，探测单管包括单光子雪崩二极管和淬灭电路；每个探测单管的输出信号分别由各自的整形电路整形成脉冲方波信号，每两路脉冲方波信号为一组输入“与”处理电路，经过“与”处理电路处理过的所有信号再经过“或”处理电路处理，产生最终的输出信号。本发明的探测器阵列可有效降低由暗计数和杂散光噪声带来的误触发，能在保证探测效率的同时，保证测距准确度，可实现更高灵敏度的激光测距。
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公开(公告)号：CN107764874A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610669750.7
申请日：2016-08-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/60 , H01L29/788 , H03M1/08
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4148 , G01N33/50 , G10K11/175 , G01N27/26 , G01N27/60 , H01L29/788 , H03M1/08
Abstract: 本发明提供了一种新型主动噪声控制生物传感器，包括探测极板、信号检测模块和控制模块。信号检测模块包括信号可叠加型晶体管以及读取电路，信号可叠加型晶体管具有次级输入端和初级输入端；探测极板将探测的初级信号输入到初级输入端，控制模块通过信号处理系统处理信号检测模块的输出信号，并产生次级信号输入到次级输入端；信号可叠加型晶体管接收到的初级信号与次级信号产生叠加作用实现主动噪声控制，叠加后的信号由读取电路读取并输出，作为控制模块的输入信号。该传感器可以实现电位或电荷检测，具有主动噪声控制特性，不仅可以实现无参考电极检测，还可以有效抑制检测中的直流漂移，谐波噪声和宽带噪声，具有高信噪比检测的优点。
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