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公开(公告)号：CN1537825A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310111269.9
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷及其制备方法，目的是提供具有较高介电常数、损耗低和良好温度稳定性、而且原料价格便宜、便于实现产品化的微波介质陶瓷，本发明微波介质陶瓷是表达式为mSrTiO3－nSr(Mg1/3Nb2/3)O3－PSrWO4的固溶体介质陶瓷，其中m为0.01～0.08摩尔％、n为0.85～0.97摩尔％、P为0.01～0.09摩尔％；其制备方法顺序包括步骤：(1)按所述摩尔比称量原料(m+n+p)SrCO3、mTiO2、n/3MgO、n/3Nb2O5、PWO3；(2)混合球磨20～24小时，烘干后在1100℃～1250℃预烧2～8小时；(3)再次球磨20～24小时并烘干；(4)添加粘结剂并造粒后，单轴成形在0.5～1×106Pa压力下制备圆柱状陶瓷坯体；(5)所获坯体在1350℃～1550℃烧结4～8小时。本发明提出的微波陶瓷介电常数高、介电损耗小、谐振频率温度系数小，原料来源广泛，价格便宜，适用于通讯系统中的介质谐振器、滤波器等微波元器件。
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公开(公告)号：CN113725601B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111040014.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷达的多视场阵列天线，由三层介质材料和四层金属构成，金属层包括辐射层，天线反射层，带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有由四个及以上组合天线构成的阵列，天线由网格单元与贴片单元两种形式的辐射单元构成。各天线关于阵列中心线对称，每个天线由两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元组成，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线，辐射边由渐变式微带线代替了传统的同宽度微带线。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元并与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。通过对阵列进行波束赋形设计，使方向图具有多个“平肩”状特征，以“平肩”划分的不同视场满足雷达对不同距离范围目标的探测需求。本发明专利结构简单，仅需一条发射链路即可实现雷达多种探测距离功能的整合，降低了前端信号的处理难度，适合用于毫米波段汽车雷达。
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公开(公告)号：CN113161725A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110266697.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波天线，其包括，金属盖板，金属盖板上开有四个辐射口；金属腔体，用于接收电磁波产生谐振；四个金属块体，均匀地置于金属腔内，与腔体底面相连接，与上方四个辐射口共用同一个腔体，形成四个辐射单元，每个金属块的上表面有沿X轴方向的电流，形成一个面电流辐射结构；通过在腔体上方添加金属盖板，每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝，等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个腔体和一个馈电耦合缝隙，使天线结构得到简化；天线的厚度小于一个波长，具有低剖面的特性；整个天线为纯金属结构，避免了介质损耗问题，本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。
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公开(公告)号：CN112038735A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010774699.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双盲槽容性耦合结构的陶瓷滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的滤波器本体、本体上表面的调谐孔、耦合槽和上下盲槽组成的容性耦合结构；调谐孔为盲孔，耦合槽为矩形通槽，容性耦合结构由上下两个相同长宽高的盲槽组成，位于两个调谐孔之间。本发明在两个调谐孔之间开设上下双盲槽容性耦合结构，通过调整盲槽的长度和高度可以改变耦合量的大小，从而实现陶瓷滤波器的容性耦合；单个盲槽的高度小于滤波器高度的一半，不存在盲槽高度限制且盲槽长度灵活可调，有效降低了陶瓷滤波器容性耦合的调试难度并提高容性耦合的调试精度，具有结构简单、设计方便、容易生产制备等特点。
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公开(公告)号：CN110336105B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910487302.9
申请日：2019-06-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波器领域，公开了一种加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器，包括第二层金属印刷层(1)、介质基板(2)、第一层金属印刷层(3)、2条微带线(4)，并形成有多个长方形金属印刷区域(6‑2)，这些长方形金属印刷区域的投影整体以第一层金属印刷层(3)长方形投影中平行于长方形宽度方向的中心线呈轴对称形状；正是利用这些长方形金属印刷区域对应的方盘结构，构建得到加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器。本发明通过对器件内部各个组件的结构及其设置方式等进行改进，得到加载方盘型SSPP结构的基片集成波导带通滤波器，与现有技术相比能够有效解决SPP‑SIW带通滤波器的尺寸较大，加载缺陷型SIW带通滤波器带内损耗较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110336100A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910529228.2
申请日：2019-06-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种空气填充SIW双通带滤波器及其优化方法，其中滤波器包括输入、输出耦合结构，及空气填充SIW谐振腔结构；空气填充SIW谐振腔结构包括金属通孔阵列(8)、空气盒子(7)和4n个微扰金属化过孔(9)；这4n个微扰金属化过孔(9)的投影关于器件中心点中心对称；该空气盒子(7)是由中间基板介质层(2)镂空然后密封形成的，其投影呈矩形，该矩形形状的中心与器件中心点重合。本发明通过对滤波器器件关键的内部构造及细节结构设置等进行改进，与现有技术相比，得到的基于空气填充SIW谐振腔的双通带滤波器，采用单谐振腔结构，具有两个双模工作的通带，三个传输零点，通带内插入损耗低，易于加工等特点。
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公开(公告)号：CN107602129A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710948634.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , B28B1/29
Abstract: 本发明公开了一种SiC的水基流延制备方法，包括如下步骤：将陶瓷粉体与PH＝10的氨水、分散剂混合球磨，得同质陶瓷浆料；按比例向所得的同质陶瓷浆料内加入粘结剂、增塑剂和表面活性剂，进行二次球磨，得陶瓷浆料；对所得的陶瓷浆料依次进行除泡、流延、干燥以及揭膜、裁剪处理；所述粘结剂为质量分数为7％的PVA，所述PVA的添加量为陶瓷粉体质量的8％，所述分散剂为四甲基氢氧化氨(TMAH)，所述表面活性剂为Surfynol SE-F，Surfynol SE-F的添加量为陶瓷浆料总质量的3％；所述增塑剂为甘油。本发明所得的SiC膜片具有良好的延展性、韧性和均匀性，且具有一定抗拉强度。
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公开(公告)号：CN103360050B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310290510.2
申请日：2013-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷的表达式为xCaTiO3-(1-x)La(Ga1-yAly)O3，其中，0.62≤x≤0.66，0.1≤y≤0.9。其制备方法包括球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒和烧结步骤。本发明提供的中介电常数的微波介质陶瓷性价比高，具有良好的微波介电性能，生产工艺简单，重复性好，原料丰富，应用广泛。
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公开(公告)号：CN101805172A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010111148.4
申请日：2010-02-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超低介电常数的微波介质陶瓷材料，由(1-x)MO-0.5xNa2O-(1-0.5x)Al2O3-(2+x)SiO2构成，其中MO为BaO或SrO，0≤x≤0.6。当x＝0时，材料在1500～1525℃范围内保温3小时后能获得负收缩率大于-3.0％的最佳综合性能，能与其它常见的具有正收缩率的材料复合形成零收缩材料，将会成为一种具有应用前景的电子材料。当x＝0.4时，材料在1000～1100℃范围内烧结后能获得零收缩陶瓷，不仅适用于制造高集成度微波通信基板，还能用于制造高品质微带天线和天线罩等重要元器件。
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公开(公告)号：CN1267377C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310111238.3
申请日：2003-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷，包括主成分：p[m(aCaO·bNd2O3)·cMgO·TiO2]·q[1/4Li2O·1/4Sm2O3·TiO2]，以摩尔百分比计算，其中：p+q＝100摩尔%，m+c＝100摩尔%，a+3b＝100摩尔%，30摩尔%≤q≤55摩尔%，30摩尔%≤a≤75摩尔%，80摩尔%≤m≤95摩尔%；副成分为ZnO，副成分的含量u为主成分的0.5至2.0wt%。本发明还提供了其制备方法。所制备的微波介质陶瓷，其介电常数为90～120，同时具有低损耗与可调的谐振频率温度系数，利用本发明提供的微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应更高的频率。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
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