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公开(公告)号：CN1118877C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN99109808.0
申请日：1999-07-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01S5/00 , G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件和其实现方法，特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件和其实现方法。本发明其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。本发明所提出的非平行腔半导体光波与光电子器件结构将成为半导体器件实现的一种新的基本结构，其作用就如同光元件中的光栅与棱镜结构或电路系统中的电容与电感一样，势必将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而久远的影响。
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公开(公告)号：CN119092583A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410968392.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；其中，P型电场调控层的掺杂浓度和厚度被配置为使得非特意掺杂收集层的电场平坦且维持在发生峰值速度对应的电场附近；非特意掺杂收集层的厚度被配置为使得结电容降低。本发明可以同时提高单行载流子光电探测器芯片的高速响应特性和高饱和输出性能。
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公开(公告)号：CN118016748A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410030541.2
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括：依次设置于半导体材料衬底上方的第一电极接触层、电子收集层和崖层、设置于崖层上方的吸收层、设置于吸收层上方的电子扩散阻挡层、设置于电子扩散阻挡层上方的第二电极接触层、设置于第二电极接触层上方的光学散射结构和设置于光学散射结构上方的光学薄膜层；光学薄膜层构成波导结构的上包层，电子收集层构成波导结构的下包层，光学散射结构用于使得入射光从垂直入射方向进行散射，并将部分散射光耦合进单行载流子光探测器构成的波导结构中进行横向传播，以增加了入射光在吸收层的传播距离。本发明提供的单行载流子光探测器，能够有效提高单行载流子光探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN109242783B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201810760050.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 山东申士光电有限公司 , 北京邮电大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明实施例提供一种图像去雾的方法及装置，方法包括：去除所述待处理含雾图像中的白光噪声，以获得第一去雾图像；根据雾的散射函数和傅里叶变换，对所述第一去雾图像进行去雾，以获得第二去雾图像。本发明实施例通过去除待处理含雾图像的白光噪声，并根据雾的散射函数结合傅里叶变换，来进行相应计算处理，从而解决由于雾的散射造成的物点的像点扩散及相邻物点的像点相互叠加而造成图像模糊的问题。
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公开(公告)号：CN113257942B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110449838.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115458618A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211193879.7
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/109
Abstract: 本申请涉及半导体光电器件技术领域，提供一种单行载流子光电二极管。包括依次连接的p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层；以及位于所述p型接触层上的p电极与位于所述n型接触层上的n电极；其中，所述收集层的厚度为1300纳米至1700纳米。本申请通过选取厚度为1300纳米至1700纳米的收集层，将p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层依次连接，并在p型接触层与n型接触层上分别设置p电极与n电极，构成单行载流子光电二极管，降低单行载流子光电二极管中的寄生电容，提高单行载流子光电二极管的总带宽，以提高单行载流子光电二极管的工作效率。
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公开(公告)号：CN115421230A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211216915.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B3/00 , G02B7/02 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。
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公开(公告)号：CN115292877A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210716209.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于拓扑优化的光子器件自适应逆向设计方法，在设计过程中，采用兼具差异化处理特性和动态调整特性的自适应投影函数。本发明在提升了光子器件设计效率的基础上，保证逆向设计得到的光子器件具有优秀的性能指标，此外设计得到的光子器件已完全二值化，省掉了额外的离散优化，不仅解决了离散优化导致光子器件品质因数劣化问题，而且还简化了设计流程。进一步地，本发明逆向设计得到的光子器件物理尺寸小、易于规模化集成、可利用常规半导体光刻工艺进行制备，有望推动光子集成芯片尤其是硅基光子集成芯片的发展。
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公开(公告)号：CN111751909A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010502084.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统，该超透镜包括周期性薄膜结构和至少一层纳米间隙层，其中：所述周期性薄膜结构是由金属层和介质层堆叠构成的，所述纳米间隙层的两侧为所述介质层。本发明实施例通过引入纳米间隙层，使得坡音廷矢量在纳米间隙层与介质层的交界面处发生传播方向的偏折，从而导致物像的主瓣和旁瓣的对数比增大，大幅改善两个及两个以上物体成像时，多个像点的旁瓣与旁瓣之间以及旁瓣与主瓣之间互相重叠导致的干扰问题，并能对静止的物体和/或移动的物体进行突破衍射极限的纳米级超高分辨率三维成像，在纳米材料实时成像、生物医学成像和超精密纳米光刻等领域具有重要应用前景。
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