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公开(公告)号：CN119651143A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411627013.1
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种通过MEMS开关切换馈电的方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。该方向图可重构天线由包括微带辐射单元，引向寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，一分四馈电网络，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。两级MEMS开关架设在一分四馈电网络上，当某条馈线上两级开关均导通时，射频电流可通过该馈线流向对应的基本辐射单元，产生朝向此象限的倾斜波束，并可通过同时导通前侧的四个开关，使能前侧的两个基本辐射单元，产生前侧正方向的倾斜波束。天线采用单层板设计，介质基板无需打孔，结构简单、制造方便，采用的MEMS开关损耗小，隔离度高，表面刻蚀工艺可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN119601967A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411652299.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 辽宁工业大学 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于顺序旋转馈电的太赫兹波段圆极化天线，属于射频前端器件领域。该圆极化天线由四个微带贴片，位于辐射贴片上的切角、微带线、微带线馈电端口、顺序旋转馈电网络、介质基板，金属地背板和微带线匹配结构组成。通过严格设计各个端口到馈电网络的电长度来产生90°的相位差来实现圆极化性能，辐射右旋圆极化波，辐射增益为10.47dB，3dB轴比带宽＞8GHZ、3dB轴比范围超90°，覆盖完整半功率波束宽度。天线采用微带线馈电，微带线的损耗叫小，微波传输特性好，天线辐射效率高。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便。
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公开(公告)号：CN119560343A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411651917.8
申请日：2024-11-19
Applicant: 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了一种低驱动电压的太赫兹波段复合梁RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，复合梁中间导通结构，复合梁的金属电极，氮化硅绝缘层，石英玻璃衬底，共面波导金属地和金属地组成。该复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极，可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态，分别对应着开关的断开状态与导通状态。复合梁MEMS开关工作在140GHz以下实现低驱动电压、低插入损耗、高隔离度。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变，结构简单，易于制造。
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公开(公告)号：CN118590165A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410838480.2
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H04B17/391 , G06N3/006 , H04B17/382
Abstract: 本发明公开了一种基于改进混沌麻雀算法的稀布平面阵列天线优化方法，属于天线综合技术领域；本方法实现过程包括：首先根据阵列类型建立稀布阵列天线模型，设定相关参数、约束条件及适应度函数；其次采用改进的混沌麻雀搜索算法(ICSSA)，在初始化种群阶段引入Logistic‑Tent混合混沌映射序列，改进发现者位置更新公式，增强其全局搜索能力，在跟随者更新过程中结合柯西变异策略，并融合黑翅鸢优化算法(BKA)，避免陷入局部最优解；最后通过一定次数的迭代优化，得到最优解。本发明相较于未改进的麻雀搜索算法，能够进一步抑制副瓣电平，且收敛速度得到明显提升，显著减少了时间及计算成本。
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公开(公告)号：CN118249794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410320830.6
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于复合梁的单刀四掷MEMS开关，属于射频前端器件技术领域。主要结构为输入微带线，渐变匹配结构，中间导通结构，输出微带线，玻璃基衬底，金属电极，梁底座与悬梁共同组成的复合梁，金属地组成。此开关属于欧姆接触式开关，复合梁结构包括二氧化硅材料悬梁和金材料梁底座。各支路开关通过直流电压驱动金属电极，可以控制复合梁的悬停状态与接触渐变匹配结构与输出传输线的贴合状态，分别对应着本路开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段140GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简洁、制造方便，能够通过玻璃基工艺进行制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117498004A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311566459.3
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS开关控制的频率可重构天线，属于射频前端器件领域。其由介质板，天线金属层，和六个MEMS射频开关组成，其中天线的贴片结构由金属环形结构和直线臂结构共同构成，金属环形结构作环形天线，在环形上一处引出两条有一定间距的信号线，由SMA信号输入端口馈电，一条信号线与信号相连，一条接地；两个串联开关，四个并联开关分布在天线结构上。本发明通过调节开关状态，可实现中心频率为1.9GHz,2.1GHz,2.8GHz和5GHz的共计四种L波段到C波段的频率模式重构；每种模式阻抗带宽大于10％，辐射效率大于90％；结构简单、制造方便，可以通过加工工艺进行制造，便于集成。
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公开(公告)号：CN117317580A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311163032.9
申请日：2023-09-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种低交叉极化的双极化微带天线，属于射频前端领域。该天线由辐射贴片、介质层、金属接地板、反射板以及馈电结构组成。反射板降低背向辐射，辐射贴片增大了天线的带宽。两个带有折枝的H形槽开在接地板上且互相垂直，降低两端口之间耦合提高隔离度。通过仿真软件调整贴片，槽的尺寸，微带开路线长度以及折枝槽与水平臂夹角到合适值，使得天线单元完成阻抗匹配，最终该天线在24.5GHz工作中心频率处，双极化性能良好，该天线单元在22.85GHz‑27.04GHz的频率范围内S11显著小于‑10dB。在23.54GHz‑25.83GHz的频率范围内S11显著小于‑15dB，且在工作频率范围内，方向图的后瓣很小，天线的前向增益远大于背部辐射增益，体现了良好的前后比和辐射的性能。
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公开(公告)号：CN117080730A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311161928.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ka波段宽带圆极化天线单元，属于卫星通信技术领域；其包括辐射层：主辐射贴片单元、从辐射贴片单元、从辐射贴片单元缺陷结构、馈电网络层：同轴馈电结构；介质层；金属地层11、SIW结构3：共4个金属通孔。本发明通过双端口相位差90°的信号输入和同轴馈电方式，实现Ka波段的圆极化，同时利用特殊缺陷结构和SIW结构来实现天线工作的宽带宽。该天线可以实现26.47GHz‑31.90GHz的圆极化信号输出，在27.37GHz‑31.69GHz波段S11参数低于‑15dB，实现宽带圆极化天线单元。
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公开(公告)号：CN116799451A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310783506.3
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段MEMS复合梁开关，属于射频前端器件技术领域。其由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁，中间导通结构，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，金属地组成。该开关为复合固支梁电容式开关，复合梁由二氧化硅材料固支梁及吸附在其下方的金属梁组合而成，直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极，可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态，分别对应着开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段350GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN116780196A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310837598.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种单馈宽波束圆极化微带天线，属于射频前端器件领域；其最下面的介质层中包含有电磁带隙结构；从底往上第二层介质中有多枝节组成的微带馈电线结构，用于信号的输入；第三层介质的顶部设有一个带有H形缝隙的金属平面，H型缝隙与微带馈电线的末端枝节正对着；最顶层的中心位置设有天线的主要辐射贴片，其主辐射贴片由方圆形金属贴片组合而成，并在最大的圆形金属铁片上挖去了圆的一部分，主辐射贴片的最外层为寄生方形环，方形环的中心和内部辐射贴片的方形结构的中心相同。本发明利用方圆形结合的辐射贴片，并给予合适的激励激发贴片中的正交简并模式产生圆极化，并利用寄生方形环提高圆极化微带天线的波束宽度。
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