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公开(公告)号：CN104724741A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510128001.9
申请日：2015-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F7/02
CPC classification number: C01F7/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C01P2004/61
Abstract: 本发明公开了一种片状氧化铝的制备方法，属于陶瓷粉末材料制备技术领域。主要步骤为：采用铝源、胺类有机物、辅助剂为原料，按照一定比例配成溶液，加热并搅拌，溶液挥发、浓缩后发生热解，得到前驱体粉末；再将前驱物粉末于800-1700℃在流动空气气氛下反应2-4小时；最终得到粒度为3-8μm，径厚比为25-80，片状的氧化铝。本发明设备简单，工艺周期短，效率高，成本低。
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公开(公告)号：CN103204480A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310153016.1
申请日：2013-04-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B21/06 , C04B35/626 , C04B35/58 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于陶瓷粉末制备技术领域，具体涉及一种生产纳米氮化铬粉末的方法。工艺过程为：（1）将硝酸铬、甘氨酸或甘氨酸和葡萄糖按照一定比例溶于蒸馏水中；（2）加热并搅拌，溶液挥发、浓缩、冒泡，得到前驱体粉末；（3）将前驱体粉末或经过处理的粉末于600-1000℃在炉中通氨气反应0.5-20小时，氨气流量为0.25-5L/min。本发明制备工艺简单，生产周期短，易于产业化生产，得到的氮化铬粉末分散性较好。
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公开(公告)号：CN119971999A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510156206.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔碳负载氧化镁吸附剂的制备方法，涉及气体净化材料制备技术领域，包括：步骤S1、以硝酸镁、重铬酸盐、浓硫酸、葡萄糖、燃料为原料，并形成匀质溶液，将溶液在一定温度下进行加热形成凝胶，然后进一步发生燃烧反应，得到蓬松的前驱物粉末；步骤S2、将前驱物粉末在空气中进行高温煅烧，得到碳负载中间产物；步骤S3、将碳负载中间产物置于氢氧化钠溶液中加热反应，将反应后所得固体分离、干燥，得到多孔碳负载氧化镁吸附剂。本发明为开发具有大工作容量和高选择性的CO2吸附剂提供了一种简便且可扩展的合成方法，且生产过程环保无污染、操作费用低、经济效益高，具有较好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN119819928A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411927682.0
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种高热导铜散热材料注射成形的制备方法，涉及粉末冶金的技术领域。所述方法包括称取电解铜粉，依次进行气流破碎处理和研磨处理，获得团聚分散的电解铜粉；将前述的电解铜粉、雾化铜粉、铜合金粉末进行混合，得到原料粉末；将原料粉末与塑基粘结剂进行高温高速密炼，得到高纯度喂料；再通过高纯度喂料注射成形得到生坯件；之后将生坯件进行催化脱脂和加热脱脂，得到热脱后的样品；将热脱后的样品依次进行氢气气氛常压烧结和氮气氛围下热等静压烧结，得到全致密高热导铜散热材料。本发明通过粉末粒度搭配、氛围保护密炼、液相烧结作用、活化烧结作用、热等静压烧结联合作用等多种促进烧结致密化机制，实现了铜材料综合性能协同提高。
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公开(公告)号：CN119819927A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411927681.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种电解铜粉注射成形制备铜散热材料的方法，涉及粉末冶金的技术领域。所述方法包括获得粉磨破碎处理的电解铜粉；将电解铜粉、合金粉末与蜡基粘结剂进行高温高速密炼，得到高纯度喂料；再通过高纯度喂料注射成形得到生坯件；之后将生坯件进行溶剂脱脂和加热脱脂，得到热脱后的样品；将热脱后的样品依次进行氢气气氛常压烧结、固溶时效处理和加压烧结，最后经过退火去应力处理获得铜散热材料。本发明充分发挥电解铜粉纯度高、比表面积大、易成型、烧结活性高以及优异的导电导热性能，并通过固溶时效处理使材料具有高强度和优异延展性，实现高热导大尺寸复杂结构铜散热材料的制备，制备工艺稳定，价格低廉，更适合于大批量生产使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119433504A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411583020.6
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种单晶氮化铝粉体表面流化改性方法，涉及单晶AlN粉体的表面改性技术的技术领域。所述单晶氮化铝粉体表面流化改性方法包括单晶AlN粉体表面预处理、干燥处理、单晶AlN粉体的表面改性处理、重复并循环表面改性处理，得到氧化铝保护层包覆的单晶AlN粉体。本发明通过流化改性技术可以实现对单晶AlN粉体表面的均匀涂覆和厚度控制，能够获得可以增强氮化铝填料耐水解性能、导热性能和界面相容性等性能的改性单晶AlN粉体；方法简单易操作，减少了对有害溶剂的依赖，绿色环保，成本低、效率高，利于工业大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN119284971A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411177441.9
申请日：2024-08-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G51/04 , C01G53/04 , C01G49/02 , C01G9/02 , C01G45/02 , C01G3/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/90 , H01M12/06
Abstract: 本发明提供了一种拓扑转变合成高熵羟基氧化物纳米片的方法，属于无机材料技术领域，包括以下步骤：1）成分设计：以Ca2Fe2O5褐铁矿型氧化物为基体材料进行元素掺杂；2）燃烧合成前体：利用低温溶液燃烧合成法将步骤1）的原料进行原位复合，将得到的粉末燃烧制备出富含有序氧空位的褐铁矿型氧化物粉末；3）结构重构：将步骤2）得到的富含有序氧空位的褐铁矿型氧化物粉末进行高能超声活化，形成具有高活性的超薄结构纳米片，接着进行离子交换反应，获得所述高熵羟基氧化物纳米片电催化剂。与传统的NiFe和CoFe氢氧化物/羟基氧化物相比，该纳米片催化剂在OER过程中也表现出更高的抗Fe浸出的能力。组装好的锌空气电池能够在低充电电压下稳定运行225小时以上。
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公开(公告)号：CN118563153A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410648601.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化物第二相粒子弥散强化钨合金的制备方法。该制备方法利用细胞破碎机将纳米碳化物颗粒进行分散，而后加入钨合金盐进行分散并将溶液先后冷冻、干燥、还原成弥散强化钨粉，最后通过烧结工艺成功制备出碳化物弥散强化的致密超细晶钨合金，钨基体晶粒尺寸为300‑500nm，第二相颗粒为10‑50nm。本发明不使用有机物等进行辅助分散，避免了前驱体干燥后需要煅烧除去多余有机物的步骤，有效避免大部分碳化物粉末颗粒在制备过程中的氧化问题；同时在超声完毕后直接进行冻干处理，避免了第二相陶瓷粉末再次发生团聚。本发明的制备工艺简单，对于设备要求低，此方法制备超细晶烧结态钨合金具有显著优势。
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公开(公告)号：CN116903378B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310784125.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种微波低温预处理制备高强度低晶格氧缺陷氮化铝陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备技术领域。所述方法以Y‑Ca‑Dy复合烧结助剂作为脱氧动力源，采用微波烧结对氮化铝生坯内晶粒进行降氧处理，微波频率为2.45GHz，烧结温度为1500～1630℃，烧结时间为5～10h，以获得低氧杂质(晶格氧低于0.06wt.％)并有一定相对密度的预烧结坯体。在随后的烧结过程中使坯体完全致密化。此方法获得的氮化铝陶瓷热导率210～230W/m·k，晶粒尺寸可控(2～5μm)，抗弯强度高于400MPa。
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公开(公告)号：CN114247887B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111496430.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种场发射微纳钨发射极的成形方法，属于粉末冶金技术领域。首先采用一次或者多次气流磨处理改善钨粉的粉末状态，得到细粒度、高分散、窄分布近球形钨粉颗粒，有利于在成形阶段形成更加均匀的开孔结构。其次将处理后的粉末进行一次或者多次的煅烧处理，以消除气流磨过程中产生的内应力。再次将该粉末与粘结剂混合均匀制成喂料，在微注射成形设备上成形所需形状和尺寸的钨坯体，最后经脱脂和烧结制备出具有均匀孔隙的场发射微纳钨发射极。本发明显著优化了原料粉末和微粉末注射成形工艺，制备出的场发射微纳钨发射极杂质含量低、孔隙均匀、晶粒尺寸≤1μm，孔径200～800nm，孔隙率15～35％，开孔孔隙度占总孔隙度的95％以上。
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