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公开(公告)号：CN101122020A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710119511.5
申请日：2007-07-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种大面积纳米氧化锌定向阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺为：依次包括以下步骤：将硝酸锌和六次甲基四胺溶解于水作为反应溶液，可添加碱类物质调控溶液的pH值；提供一片清洗干净的基片，在基片表面沉积一层氧化锌薄膜，或者将配制好的锌盐溶液均匀涂敷在基片表面后烧结；将处理过的基片放入反应溶液中，保温一段时间；取出基片，清洗干净后干燥，得到纳米氧化锌阵列。优点在于，可在非常大的面积上快速制备高取向、高纯度的纳米氧化锌阵列，并可控制形貌，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1772625A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510086564.2
申请日：2005-10-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。
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公开(公告)号：CN109580764B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811563964.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；步骤S4、使用氩气团簇离子和氧离子共同轰击试样；步骤S5、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤S6、通过质量分析器收集二次离子；步骤S7、对二次离子进行分析获得深度剖析图和二次离子质量分布图像；步骤S8、根据深度剖析图和二次离子质量分布图像获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质元素的浓度及分布进行优化检测。
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公开(公告)号：CN109580764A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811563964.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；步骤S4、使用氩气团簇离子和氧离子共同轰击试样；步骤S5、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤S6、通过质量分析器收集二次离子；步骤S7、对二次离子进行分析获得深度剖析图和二次离子质量分布图像；步骤S8、根据深度剖析图和二次离子质量分布图像获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质元素的浓度及分布进行优化检测。
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公开(公告)号：CN105910737B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610516121.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明提供一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法，无需使用集成技术就可实现应力的实时定位。所述应力定位传感器包括：相对设置的两个基底、导电层和电极，且每个电极覆盖与其对应的导电层的一端；两个基底上设置的所述电极之间设置有绝缘胶。所述制作方法包括：提供两个基底；在每个基底上均形成导电层；在每个基底上的导电层上形成电极，每个电极覆盖与其对应的导电层的一端；将两个基底相对设置，并使用绝缘胶将两个电极粘合。所述应力定位方法包括：获取待测试应力作用所述应力定位传感器后，测得的电流；查询预设的距离与电流之间的映射关系表，获取所述待测试应力的作用位置。本发明适用于力电传感技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702776A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610075220.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种自驱动光探测器及其制作方法，涉及光探测技术领域，能够实现自驱动光电探测，且响应时间短、响应度高、能够对具有一定波长范围的光线进行探测。该自驱动光探测器包括基底，位于所述基底上的沟道层，位于所述沟道层上的栅介质层，位于所述栅介质层上的栅极，以及与所述沟道层的两端连接的银电极和铂电极，所述沟道层的材料为二维二硫化钼，所述沟道层包括1~5个原子层。本发明用于进行光探测。
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公开(公告)号：CN105670560A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610013441.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09K3/00
CPC classification number: C09K3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所述纳米氧化钴/石墨烯复合粉末的质量百分比为5%~20%。本发明的制备方法轻质高效、快速可控，制备得到的纳米氧化钴/石墨烯复合涂层吸波效果好，且比重轻、添加量少、涂层薄。
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公开(公告)号：CN103112818B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310063299.0
申请日：2013-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法，属于微纳器件设计及制造领域。本发明仅利用简单的扫描电镜及镀膜仪，通过在单根微纳线两端制作金属电极。电极覆盖在微纳线上面，与微纳线形成稳固的电极接触，保证了电性能测量过程中信号的稳定性。作为电极的金属可以有多种选择，为设计构建多种形式的微纳器件提供了技术支持。制作过程不使用FIB等昂贵设备，达到了制作同样电极的效果，节约成本，简便易行。
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公开(公告)号：CN103112818A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310063299.0
申请日：2013-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法，属于微纳器件设计及制造领域。本发明仅利用简单的扫描电镜及镀膜仪，通过在单根微纳线两端制作金属电极。电极覆盖在微纳线上面，与微纳线形成稳固的电极接触，保证了电性能测量过程中信号的稳定性。作为电极的金属可以有多种选择，为设计构建多种形式的微纳器件提供了技术支持。制作过程不使用FIB等昂贵设备，达到了制作同样电极的效果，节约成本，简便易行。
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公开(公告)号：CN100567422C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710175635.5
申请日：2007-10-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09D163/00 , C09D7/12 , C09D5/32 , B05D7/14
Abstract: 一种四针状纳米氧化锌吸波涂层的制备方法，属于纳米吸波涂层制备技术领域。工艺为：将铝板用清洗剂与酒精清洗干净，作为涂层衬底；称取一定质量的的四针状纳米ZnO，加入稀释剂、分散剂超声分散10min；然后加入稀释好的环氧树脂，边超声边搅拌30min；最后加入适量的固化剂乙二胺，搅拌均匀并超声消除气泡；将制作好的涂料喷涂在铝板上，室温固化2h制成吸波涂层。涂层中四针状纳米ZnO的质量分数为30%，涂层厚度为3.5mm，涂层的厚度可以通过喷涂次数来控制。该涂层在6GHz-18GHz频率内实现了对电磁波的强吸收，反射率最小值达到-15.01dB。
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