全彩QLED器件及其制备方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118019390A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410153584.X

    申请日:2024-02-02

    Inventor: 景宇宇 钟海政

    Abstract: 本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括:基板;像素隔离单元bank,像素隔离单元bank在基板上阵列分布;全彩QD阵列,全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内;光刻胶保护层,光刻胶保护层设置于全彩QD阵列的上方;透明电极,透明电极设置于光刻胶保护层的上方,其中QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在像素隔离单元bank内。本发明通过在像素隔离单元bank内的全彩QD阵列上,利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层,对全彩QD阵列进行保护,实现了高像素密度的全彩QLED器件,并减少了电子的注入,有利于达到电子空穴注入平衡,提高了全彩QLED器件性能。

    一种氧气传感器及其制备方法、氧气检测系统

    公开(公告)号:CN113155778A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110092943.1

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种氧气传感器及其制备方法、氧气检测系统,属于光学传感技术领域,能够解决现有氧气传感器的灵敏度较低、测量精度较差,难以满足大众化的氧气浓度的检测需求的问题。所述氧气传感器包括光纤;光纤的纤芯中含有氢分子;光纤上设置有倾斜光纤光栅,倾斜光纤光栅的倾斜角度小于45度;倾斜光纤光栅的表面设置有氧敏感膜;氧敏感膜包含钙钛矿纳米材料。倾斜光纤光栅在氧敏感膜涂覆的情况下可以实现氧气特异性识别测量。本发明用于测量氧气浓度。

    一种发光薄膜、氧气探测装置及其制作方法

    公开(公告)号:CN113155754A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110092944.6

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种发光薄膜、氧气探测装置及其制作方法,属于光学传感技术领域,能够解决现有氧气探测装置制备方法较复杂,且响应速度较慢的问题。所述氧气探测装置包括激发光源、光谱探测器、处理器,以及发光薄膜;发光薄膜包括钙钛矿纳米材料;钙钛矿纳米材料的通式为A2(Ma,Fa)m‑1BmX3m+1,其中A代表有机长链大分子,B代表二价金属阳离子,X代表卤素离子,m代表有机链之间的金属阳离子层数。激发光源发出的光照射在发光薄膜上,用于激发发光薄膜产生光信号;光谱探测器用于探测光信号的强度;处理器用于根据光信号的强度计算发光薄膜所处环境的氧气浓度。本发明用于氧气浓度的测量。

    一种钙钛矿单晶材料、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN111364103B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201811594523.8

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿单晶材料,所述钙钛矿单晶材料的化学式如式I所示:AxMyXz式I;其中,A包括有机铵离子;所述有机铵离子选自具有式II所示化学式的有机铵离子中的至少一种;其中,x=9,y=4,z=17;M为金属阳离子;所述金属选自Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn、Sr、In、Tl、Ag中的至少一种;X为卤族元素阴离子;所述卤族元素包括F、Cl、Br、I。针对现有钙钛矿A位选择范围不够大,提出了新的卤代A位,制备出了基于新的卤代A位的单晶,且该单晶可以被大规模制备及应用。

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