公开(公告)号：CN119050076B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411519126.X

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 金锐 ,  李文源 ,  李学宝 ,  崔翔 ,  李哲洋 ,  赵志斌 ,  周扬

IPC: H01L23/44 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。

公开(公告)号：CN119028936B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411509870.1

申请日：2024-10-28

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 马小杰 ,  周扬 ,  詹雍凡 ,  李学宝 ,  王磊 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。

公开(公告)号：CN119340220A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411890620.7

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院

Inventor： 王磊 ,  李文源 ,  金锐 ,  周扬 ,  李浩 ,  郑超 ,  赵波 ,  梁玉 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/687 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。

公开(公告)号：CN119050110A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411540451.4

申请日：2024-10-31

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 李学宝 ,  詹雍凡 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  金锐 ,  梁玉 ,  王磊 ,  周扬 ,  郑超 ,  李文源

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。

公开(公告)号：CN119050090A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411509866.5

申请日：2024-10-28

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 马小杰 ,  周扬 ,  詹雍凡 ,  李学宝 ,  李浩 ,  郑超 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。

公开(公告)号：CN119050076A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411519126.X

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 金锐 ,  李文源 ,  李学宝 ,  崔翔 ,  李哲洋 ,  赵志斌 ,  周扬

IPC: H01L23/44 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。

公开(公告)号：CN117438382A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311491470.8

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 王亮 ,  梁玉 ,  周扬 ,  李文源 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  马慧远 ,  陈巍

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。

公开(公告)号：CN115621226A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211405483.4

申请日：2022-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 韩荣刚 ,  魏晓光 ,  代安琪 ,  曹博源 ,  王爽 ,  杜玉杰 ,  周扬 ,  王磊 ,  孙帅

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块，半导体器件的封装结构用于安装芯片，包括：电极组件，电极组件与芯片的第一电极电性连接；电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接；传热组件包括第一传热端和第二传热端，第一传热端和第一电极部件固定连接，第二传热端和第二电极部件活动连接；或，第一传热端和第一电极部件活动连接，第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿，同时可以提升半导体器件的散热能力。