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公开(公告)号：CN104607172A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510012161.7
申请日：2015-01-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铈掺杂等离子体催化剂的制备方法，属于等离子体催化剂制备技术领域，用于挥发性有机污染物的去除。催化材料预处理后的研磨；于工业硅溶胶溶液中超声搅拌0.5～2h，其中纳米级TiO2和铁电体材料质量配比为50％～10％：50％～90％；将含铈化合物加入溶液中，超声搅拌0.5～2h；将γ‐Al2O3清洗干燥后置于溶液中，边搅拌边超声0.5～2h，在105℃下烘干后置于马弗炉中200～300℃条件下焙烧0.5～2h，400～600℃条件下焙烧2～4h。本发明操作简单、环境友好。本发明使用硅溶胶溶液作为粘合剂和分散剂可以使催化剂较均匀的分散在载体表面，用含铈化合物对催化材料进行改性，有利于催化反应的发生和污染物催化效率的提高。
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公开(公告)号：CN119287419A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411639309.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B11/089 , C25B11/065 , C25B11/046 , C25B3/03 , C25B3/07 , C25B3/25
Abstract: 一种用于电催化还原低浓度CO的多晶界Cu基催化剂及制备方法，属于催化剂制备领域，制备方法包括如下步骤：(1)将一定量的浓硫酸、无水硫酸铜、氯化钠和明胶等依次溶于一定温度的水中，制成电镀溶液；(2)将电镀溶液置于电解槽中，以泡沫铜为阳极，以气体扩散层为阴极，在一定的温度、电压和电流密度条件下在气体扩散层上电沉积一定量的Cu，制得所述催化剂。本发明提供的气体扩散层负载的多晶界Cu基催化剂能在常温常压条件下高效电催化还原低浓度CO(5％CO/N2)，还原产物主要为乙醇、乙酸等，电压为‑0.83V(vs.RHE)时CORR的总法拉第效率达15.9％。
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公开(公告)号：CN117599783A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311458514.7
申请日：2023-11-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种负载型金属复合氧化物SCO催化剂及其制备方法，属于SCO催化剂技术制备领域。包括如下步骤：(1)称取原料，溶解于去离子水中，并进行混合，其Pd的负载量为0.01～0.1wt％。(2)将混合物置于烘箱中干燥，随后转移至马弗炉中400～800℃焙烧，焙烧时间为3～6h。(3)采用共沉淀法将Ag负载到复合载体上，沉淀过程以氨水、氢氧化钠等作为沉淀剂。将沉淀物烘干并置于马弗炉中400～800℃焙烧3～6h。本发明原料简单易得，制备条件容易控制且无毒无害，所得催化剂具有良好的催化活性和N2选择性。
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公开(公告)号：CN117585640A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311642542.4
申请日：2023-12-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B3/10
Abstract: 一种用于低温水蒸气制氢的反应剂及其制备方法，属于催化领域。本发明提供的反应剂由还原铁粉、碱金属或碱土金属氢氧化物、过渡金属氧化物组成，还原铁粉1‑50、碱金属或碱土金属氢氧化物1‑10、过渡金属0‑4。过渡金属包括但不限于Ni、Co、Mn、Zr、Si、Ce中的一种或两种以上。该反应剂可以在低温(130‑200℃)条件下，与水蒸气反应，快速产生大量的氢气，产氢效率可达到69％，且氢气纯度高，原料价格低廉，生产工艺无二次污染。通过实施该发明可使工业上排放的低温废蒸汽得到充分利用，避免能源的浪费。
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公开(公告)号：CN114588901A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210336162.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于船舶去除NOx的NO氧化催化剂及制备方法，属于SCR催化领域。制备方法：首先通过化学计量称取原料，添加原料过程中加Al的前驱物和碱溶液的顺序，溶解、水浴加热搅拌后，烘干，后经550‑800℃焙烧得到目标催化剂的载体；再将Ru的前驱物溶解去离子水中，浸渍法加入制备好的载体样品，溶解，水浴加热搅拌后，烘箱烘干，后经350‑600℃焙烧得到目标催化剂。所得催化剂具有较好的高温活性和一定的抗硫抗水性能，能够满足船舶烟气快速SCR的去除NOx的工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105836733B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610144523.2
申请日：2016-03-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
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公开(公告)号：CN106807392A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710132134.2
申请日：2017-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/887 , B01D53/86 , B01D53/62
CPC classification number: Y02A50/2341 , B01J23/002 , B01D53/864 , B01J23/8871 , B01J2523/00 , B01J2531/64 , B01J2531/845 , B01J2523/3712
Abstract: 一种用于低温CO催化的MoCeCoOX催化剂的制备及应用，属于复合金属氧化物低温CO催化剂制备技术领域。将一定质量比的Ce和Co可溶性前驱体盐分别溶解并混合均匀后，用沉淀剂将混合溶液沉淀，静置陈化，得到Ce、Co前驱体，然后采用浸渍法负载金属氧化物MoO3前驱体，焙烧后MoO3的负载量为1.94～7.35wt％，干燥焙烧得到MoO3/CeO2/Co3O4催化剂。本发明制备过程简单，反应条件温和，所制备的MoO3/CeO2/Co3O4催化剂有较高的低温CO催化活性。
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公开(公告)号：CN104607215B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510012164.0
申请日：2015-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J27/138 , B01J27/135 , A62D3/30 , A62D101/20
Abstract: 一种氟改性低温等离子体催化剂的制备方法，属于等离子体催化剂制备技术领域，用于挥发性有机污染物的去除。催化材料预处理后的研磨；于工业硅溶胶溶液中超声搅拌0.5～2h，其中纳米级TiO2和铁电体材料质量配比为50％～10％：50％～90％；将含氟化合物加入溶液中，超声搅拌0.5～2h；将γ‐Al2O3清洗干燥后置于溶液中，边搅拌边超声0.5～2h，在105℃下烘干后置于马弗炉中200～300℃条件下焙烧0.5～2h，400～600℃条件下焙烧2～4h。本发明操作简单、环境友好。本发明使用硅溶胶溶液作为粘合剂和分散剂可以使催化剂较均匀的分散在载体表面，用含氟化合物对催化材料进行改性，有利于催化反应的发生和污染物催化效率的提高。
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公开(公告)号：CN103960208B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410146577.3
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: A01K79/00
CPC classification number: Y02P60/62
Abstract: 太阳能LED水下捕鱼系统，属于捕鱼设施技术领域。其包括多功能的太阳能直流供电系统和嵌入式数控电路，太阳能直流供电系统包括太阳能电池、可充电蓄电池，充电电路系统、放点电路系统、USB供电装置。嵌入式数控电路包括微控制器、驱动集成模块、三基色LED光源点阵三部分，微控制器和驱动集成模块设置在控制机箱内部。机箱外部设置交流充电接口、太阳能电池接口、USB接口及外接LED接口。本发明采用可再生清洁能源太阳能代替传统能源为捕鱼系统供能，极大地节省了渔船的燃料消耗，机箱上设置的交流充电接口和USB接口可以使太阳能供电系统应对捕鱼作业中的各种突发情况，选用LED替代传统光源并应用嵌入式控制技术能够使捕鱼灯高效工作且安全可靠。
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公开(公告)号：CN104900497A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510331057.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/40
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石墨烯的完整性可能被破坏从而进一步影响所制造器件的性能。通过在非金属衬底上溅射一层几纳米厚的金属层，就可以直接在非金属衬底上进行石墨烯的生长，有效地避免了转移过程可能带来的问题，极大地简化了工艺流程。
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