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公开(公告)号：CN109884493B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910259948.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种适用于隧穿双栅场效应晶体管T‑FinFET的特征漏电压提取方法，包括：选择三点不同漏‑源电压Vds，将栅‑源电压Vgs从+0.5伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids‑Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids‑Vds；在线性区内选二点连接为直线，获取对应直线在漏电压轴上的截距，从而得到不同栅电压下T‑FinFET的线性区和指数区的交叉转折点电压，得到输出电导特性曲线Gout‑Vds，再在线性区内选二点连接为直线，从而提取不同栅电压下T‑FinFET的线性区和饱和区的交叉转折点电压。这种方法实现简单，在低Vgs和Vds下对器件结构和工艺不敏感，能抑制小尺寸器件引起的短沟效应和超薄体效应。
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公开(公告)号：CN109095498B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201811327931.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开一种氟钛酸铵的制备方法及氟钛酸铵，其中，该制备方法包括以下步骤：将钛酸酯类与有机溶剂进行混合，得到第一溶液；将氟化铵和水进行混合，得到第二溶液；将所述第一溶液和所述第二溶液进行混合，得到混合溶液；将所述混合溶液倒入反应器中进行反应，得到混合沉淀物；将所述混合沉淀物冷却、过滤、洗涤、及干燥处理，得到氟钛酸铵。本发明的技术方案能够使得其制备方法简单，且原料简单易得，成本较低。
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公开(公告)号：CN110797408A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911028127.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种动态阈值隧穿场效应双栅器件。由控制栅电极、独立偏置栅电极、源区、漏区、沟道区和控制栅介质层组成；其中，所述独立偏置栅电极位于所述阈值隧穿场效应双栅器件底部的独立偏置栅介质层下，由独立偏置栅介质层与沟道区隔离；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧，并被控制栅介质将其与控制栅隔离。本发明涉及的器件可独立工作在栅控条件下，为低功耗电路设计提供一种选择方案，而且对阈值电压的调节灵敏度大于传统T-FinFET器件和SOI隧穿器件。此外，其电学性能优于常规T-FinFET器件和SOI隧穿器件。通过独立偏置栅的单独电压调制，可以将栅长缩小到20纳米及以下，并保持比较理想的器件性能。
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公开(公告)号：CN109095498A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811327931.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开一种氟钛酸铵的制备方法及氟钛酸铵，其中，该制备方法包括以下步骤：将钛酸酯类与有机溶剂进行混合，得到第一溶液；将氟化铵和水进行混合，得到第二溶液；将所述第一溶液和所述第二溶液进行混合，得到混合溶液；将所述混合溶液倒入反应器中进行反应，得到混合沉淀物；将所述混合沉淀物冷却、过滤、洗涤、及干燥处理，得到氟钛酸铵。本发明的技术方案能够使得其制备方法简单，且原料简单易得，成本较低。
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公开(公告)号：CN108897945A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810671172.X
申请日：2018-06-26
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法，该方法包括以下步骤：利用纳米线半径，纳米线长度，氧化物厚度，材料参数和沟道掺杂浓度，计算纳米线场效应晶体管的亚阈斜率因子α和阈值电压Vth；计算纳米线场效应晶体管沟道中单位面积反型电荷Q；通过单位面积反型电荷Q，求解出沟道中等离子体波平均速度。相比于现有技术，本发明从纳米线场效应晶体管的物理模型出发，提出一种新的计算技术，利用沟道掺杂浓度、工作温度和几何参数等，可以在不需要拟合参数的情形下快速计算出栅-源电压从亚阈值到过阈值连续变化时沟道中的等离子体波速度大小，为太赫兹集成电路设计提供便利。
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