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公开(公告)号：CN101008681A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710063105.1
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：1)根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性；3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构；4)设置聚焦离子束系统的工作参数；调控聚焦离子束，得到所需刻蚀精度要求的离子束探针；在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。本发明以聚焦离子束刻蚀技术的一次性工艺步骤代替了传统的亚微米加工技术的一系列工艺步骤，既简化了工艺步骤，又可灵活快捷地得到复杂多变的各种光子晶体和光子准晶。
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公开(公告)号：CN115274386A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210792857.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/30 , H01J37/305 , B81C1/00 , B81C99/00 , B82B3/00 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。本发明包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机，采用聚焦离子束的焦点，在图形扫描控制系统的精密控制下，在硅基固态薄膜上定位扫描，可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备；在加工过程中，能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度，实时监测纳米孔的加工过程，获得可控的离子束加工参数，进一步提高加工精度；采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工，极大提高了加工效率，单个固态纳米孔的加工周期极大缩短；旨在制造尺寸在1μm与5nm之间的固态纳米孔，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
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公开(公告)号：CN102339704B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110299640.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源的单晶钨丝的交流电化学腐蚀方法。本发明的电化学腐蚀方法采用了交流信号源以及一定比例的碱性溶液构成一种新的电化学解腐蚀方法，这种方法通过控制单晶钨丝浸入腐蚀液液面的深度、腐蚀液的浓度、电压的幅值、信号的频率等参数优化腐蚀条件，获得腐蚀的最佳工艺参数，从而获得理想的针尖形状。这种腐蚀方法的优点是：操控简单，控制精确，稳定性好，一旦获得最佳条件，其成功率可以达到95％以上。
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公开(公告)号：CN102241390B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110106827.7
申请日：2011-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮纳米结构的方法。该方法，包括如下步骤：用聚焦离子束扫描两端固定在保护层上的悬臂梁，得到所述悬浮纳米结构。该方法不受常规光刻条件的限制，对设备的聚焦精度以及扫描精度等要求相对传统的刻蚀方式较低，更有利于进入多结构并行加工，光学器件、传感器件、电子器件等方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN102496541A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110406532.1
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发叉钨丝成型装置。本发明的焊接装置包括：刀片；底座；控制刀片向下挤压深度的刀片架组；包括一对间距可调的左固定托和右固定托的间距调节组；以及一对用于放置钨丝的钨丝定位片。本发明的成型装置，可以在5°-95°角度范围内的任意角度对钨丝进行精确的弯曲，既能精确保证弯曲角度也能精确保证V型叉具有相同的长度；并且可多根钨丝一次同时成型，极大的提高了发叉钨丝成型的精度和一致性，同时也大大的提高了V型发叉钨丝制作效率，为确保后续焊接和安装精度提供了保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102489858A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110406462.X
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体焊接装置。本发明的焊接装置包括用于调整焊接件位置的位移架和在位移架上固定点焊平台板，在固定点焊平台板的一端设置有陶瓷座安装架，用于安装灯丝陶瓷座；在点焊平台板的一端设置有钨丝安装平台，用于放置钨丝。本发明的焊接装置，通过调整焊接件位置，能够确保焊接精度，用于专门焊接场发射电子源。本发明的场发射电子源发射体焊接装置，焊接件安装简单，焊接定位容易，焊接强度高，氧化问题不明显，焊接成本低，成功率高。
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公开(公告)号：CN1983509A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510126469.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/22
Abstract: 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
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公开(公告)号：CN113296372A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN112014418A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010810449.X
申请日：2020-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光收集耦合用离轴反射面镜组件及方法。本发明采用离轴角小于90度的离轴反射面镜配置，所反射会聚或反射准直的电子束激发荧光将偏离所观测样品的定位运动平面，处于电子显微镜的物镜和所观测样品的定位运动平面之间，使得电子束激发荧光的探测和耦合输出区域同样处于上述区域，因此离轴反射面镜组件不会阻碍电子显微镜的所观测样品的正常定位运动；进行电子束激发荧光收集效率的优化设计，保证在优于80％荧光收集效率；本发明作为电子束激发荧光探测系统的荧光收集耦合部件，在高效率收集和耦合电子束激发荧光的同时，保证电子显微镜的样品能够正常定位运动，且电子显微镜的其他探测组件能够正常采集信号。
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公开(公告)号：CN107941831B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610894552.0
申请日：2016-10-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置及其方法。本发明的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量装置包括：扫描电子显微镜系统、扫描信号发生器、荧光收集耦合传输系统、荧光强度探测器、荧光光谱探测器、扫描同步信号采集器、协同控制与数据处理输出系统；本发明采用模块化的构架，各模块的配置调整及后续升级非常灵活便利；各模块在协同控制与数据处理输出系统的统一同步协调控制下相互配合工作，保证严格的时序和逻辑顺序，并能够通过反馈交互信号检测各模块的运行情况，最终实现高精度的电子束激发荧光成像和荧光光谱测量；荧光收集耦合传输系统能够和荧光光谱探测器极大提高了扫描电子显微镜的分辨率。
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