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公开(公告)号：CN103715658A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310601655.X
申请日：2013-11-25
Applicant: 国家电网公司 , 国网智能电网研究院 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司大连供电公司
CPC classification number: H02M1/32 , H02H7/12 , H02M2007/4835
Abstract: 本发明涉及换流器的故障保护方法，具体涉及一种模块化多电平换流器桥臂短路故障的保护方法。包括以下步骤：1）设置模块化多电平换流器桥臂并联保护开关的故障检测时间间隔Δt；2）设置故障动作阈值Q；3）设置电压阈值Ulim.ac和Ulim.arm；4）检测模块化多电平换流器的交流端对地电压Uac(t)，计算Q1=abs(aveage(Uac(Δt)))-Ulim.ac；5）检测模块化换流器的桥臂电压Uarm(t)，计算Q2=abs(aveage(Uarm(Δt)))-Ulim.arm；6）判断：如果Q2×Q1>Q，则发生桥臂短路故障；7）当判断模块化多电平换流器发生桥臂短路故障，触发健全相桥臂并联保护开关。本发明采用桥臂并联保护开关，降低了模块化多电平换流器的桥臂短路故障持续时间，使变压器承受的直流偏执电压和换流器桥臂承受的过电压降低，减少了设备要求和造价，提高了经济性和安全性。
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公开(公告)号：CN103384197A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210134619.2
申请日：2012-05-03
IPC: H04L9/28
CPC classification number: H04L9/003 , H04L9/0631
Abstract: 本发明提供了一种防御对分组算法能量攻击的电路、芯片和方法，所述电路包括：圈运算模块、圈密钥生成模块、数据随机扰乱还原单元、圈数据随机扰乱还原单元和MUX2_1模块；所述方法包括：随机扰乱和随机扰乱还原算法。本发明提供的防御对分组算法能量攻击的电路和方法，运用随机扰乱和随机扰乱还原算法，以微小代价直接掩盖明文和圈数据在寄存器里的信息，从而使防御效果更好。
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公开(公告)号：CN108009454B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201711076975.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明公开了一种低功耗解码的方法及装置，其中，该方法包括：根据预设的上电频率确定第一计数值，第一计数值为在Tari阶段采集的计数值，上电频率不小于500kHz；根据第一计数值确定RTcal阶段的采样频率，并以采样频率执行解码操作；根据上电频率与采样频率之间的差别对第二计数值进行误差补偿，第二计数值为在RTcal阶段采集的计数值。该方法的上电频率远远小于传统值，可以大大降低功耗；之后以该上电频率确定Tari阶段的计数值后调整工作频率，在保证正常解码的同时使得计数值最小，从而在较低的工作频率完成解码功能。
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公开(公告)号：CN106599971B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
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公开(公告)号：CN105716812B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410736595.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国家电网公司 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01M7/02
Abstract: 本发明涉及一种用于换流阀模块抗震性能的试验装置及其试验方法，本发明用于实现换流阀模块在不施加高电压和大电流的条件下模拟与现场运行工况相近的震动工况。试验方法包括：试品换流阀模块支撑方法选择、震动源参数计算、试品换流阀模块震动点选取方法。通过本发明提供的方法可以在不必施加高电压和大电流的条件下模拟换流阀模块运行时的震动工况，为研究换流阀门极板等元件的抗震特性提供极大的便利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972407B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201710278187.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 国网安徽省电力公司检修公司 , 国家电网公司 , 常州新兰陵电力辅助设备有限公司
IPC: B25J5/00
Abstract: 本发明提供了一种超、特高压输变电设备高空接地操作装置，涉及检修辅助设备技术领域，通过设置移动机构，可以通过其上下运动上下台阶，越障能力好，使得整个装置的移动更加方便快捷，使其快速到达指定位置，非常方便；通过设置电机驱动的链条式升降结构，使得整个装置适用范围更广，且更加安全可靠；通过设置位置调节机构从而实现升降机构和接地线线夹的三轴运动，能够快速实现接地线夹的加持，使用时可携带至工作现场进行装配，而且整个作业范围很小，工作人员在地面即可完成，工作人员不需要爬高，使用过程安全性高，而且省时省力、非常方便，保护工作人员的安全，一人即可完成操作，并大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN107808058A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711089861.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107664718A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610607211.0
申请日：2016-07-28
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网湖北省电力公司
CPC classification number: G01R27/08 , G01R31/2601
Abstract: 本发明涉及一种HVDC晶闸管级直流均压电阻动态参数在线监测方法，该方法用的装置为HVDC晶闸管级直流均压电阻动态参数在线监测装置，包括相互连接的触发监测板和串联的直流均压电阻-晶闸管单元，直流均压回路-晶闸管单元由并联的直流均压回路和晶闸管组成，在晶闸管的负极侧设置电流采集节点，根据直流控制保护系统触发命令计算获取直流均压电阻与晶闸管阳极连接点的电压，通过不同时刻多次采样计算取平均值获得均压电阻参数。通过本发明将过去需要停电检修来检测的工作，转变为设备日常运行中的实时监测，缩短无效的检修时间，从常规变电站设备的“定期检修”变成“状态检修”，在提高换流阀故障发生的预防手段的同时，提高换流阀的可利用率。
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公开(公告)号：CN107608440A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711014994.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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