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公开(公告)号：CN101859878B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010184678.1
申请日：2010-05-20
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种提高光输出耦合效率有机电致发光器件及其制备方法，它是在其器件的ITO玻璃衬底的玻璃面上制备一层厚度50nm～90nm的ZnS棒状纳米薄膜。其制备步骤：将有机电致发光器件的ITO玻璃衬底的玻璃面向下固定在衬底支架上；使衬底支架的法线方向与蒸发粒子流入射方向的夹角为85度，通过锁栓将电机支架与真空电机固定；将纯度99～99.9％的ZnS置于蒸发源中；对真空腔抽真空度2～8×10-6帕；加热ITO玻璃衬底到210～300℃；通过真空电机使ITO玻璃衬底的旋转速度为1～3转/分；给蒸发源加热，使蒸发速率为0.1～0.2纳米/秒。本发明提高了有机电致发光器件的光输出耦合效率。
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公开(公告)号：CN102426921A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110457689.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种超级电容器及其电解液的制备方法，属于化学电源技术领域。解决了传统有机系电解液内阻较高的问题，同时该超级电容器具有更高的能量密度和功率密度，显示出良好的循环特性。该超级电容器包括阳极、电解液、隔膜、电解液、阴极，在电解液中掺入不同质量的石墨烯，构成复合电解液。超级电容器的复合电解液的制备方法包括：步骤一，以四乙基四氟硼酸铵、四氟硼酸锂或高氯酸锂作为溶质，碳酸丙烯酯或乙腈作为溶剂，配制成浓度为0.5～1.5mol/L的前驱溶液；步骤二，在前驱溶液中加入石墨烯，配制成质量浓度为0.1～1mg/ml的混合液；步骤三，将步骤二制备的混合液放置于真空干燥箱中，真空度100～1000Pa，静置12～24h，制成超级电容器所述的复合电解液。
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公开(公告)号：CN101586986B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910088435.5
申请日：2009-07-07
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种光纤光栅波长解调系统，属于光纤传感、光学测量技术领域。该解调系统包括：宽带光源(1)、可调谐滤波器(2)、1×2耦合器、波长标定模块、光电探测器、1×N光开关(5)、信号处理系统。波长标定模块内部的连接为：标准具滤波器(6)一端接第三1×2耦合器(11)的一个输出端，标准具滤波器的另一端接参考光栅(10)，第三1×2耦合器的输入端接第一1×2耦合器(7)的一个输出端；第三1×2耦合器的另一输出端经第二光电探测器(4)接入信号处理系统(9)，实现波长标定。通过标准具滤波器和参考光栅可快速精确实现对反射回光纤光栅波长的标定，有效达到高精度解调出信号的目的。本系统可用于温度、应力等物理量的监测。
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公开(公告)号：CN101964397A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010256417.6
申请日：2010-08-18
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于NPB和BND的紫外光探测器，属于光电子信息领域，主要用于天体物理分析，太阳辐射和大气臭氧层研究，环境监测及预报，医疗卫生等领域。本发明是在ITO导电玻璃阳极(4)上依次真空蒸镀空穴传输材料NPB与电子传输材料BND的功能层(3)，氟化锂阴极修饰层(2)和铝金属薄膜阴极(1)。其中NPB和BND混合层的厚度为80～120nm，其质量比例4∶1。该紫外光探测器的探测范围为波长300～400nm的紫外光。该紫外光探测器具有成本低，工作电压低，简单易制，光电流产生的效率高，光电响应大的特点。
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公开(公告)号：CN101913907A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010239668.3
申请日：2010-07-28
Applicant: 北京交通大学
IPC: C04B41/50 , C04B41/85 , C03C17/245 , C23C14/34
Abstract: 微纳结构的ZnO晶体材料由于其独特的结构和性能，体现出了特殊的应用潜力，近年在电子器件、光电子器件、化学传感、生物发电以及紫外检测等领域取得了重要应用。本发明提供了一种在衬底上制备生长位置精确可控的ZnO纳米/微米棒晶的方法。本发明首先在衬底上预修饰ZnO籽晶层，然后在衬底上制作图形尺寸在2μm以下的光刻胶层做模板层，之后使用含有柠檬酸钠和聚乙醇胺这两种不同生长修饰剂的前躯体溶液合成ZnO微纳棒晶，最终成功地在预修饰籽晶层的单晶、多晶或者无定形衬底上制备出了生长位置精确控制的ZnO纳米/微米棒晶。本发明实现了ZnO微纳晶体材料在衬底上的位置控制，是实现ZnO微纳晶体材料的器件化产业应用的必要步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866983A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010173492.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。
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公开(公告)号：CN101859878A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010184678.1
申请日：2010-05-20
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种提高光输出耦合效率的有机电致发光器件及其制备方法，它是在其器件的ITO玻璃衬底的玻璃面上制备一层厚度50nm～90nm的ZnS棒状纳米薄膜。其制备步骤：将有机电致发光器件的ITO玻璃衬底的玻璃面向下固定在衬底支架上；使衬底支架的法线方向与蒸发粒子流入射方向的夹角为85度，通过锁栓将电机支架与真空电机固定；将纯度99～99.9％的ZnS置于蒸发源中；对真空腔抽真空度2～8×10-6帕；加热ITO玻璃衬底到210～300℃；通过真空电机使ITO玻璃衬底的旋转速度为1～3转/分；给蒸发源加热，使蒸发速率为0.1～0.2纳米/秒。本发明提高了有机电致发光器件的光输出耦合效率。
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公开(公告)号：CN101824306A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010131608.X
申请日：2010-03-23
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：按石蜡∶苯乙烯的质量比为2∶5取料；按石蜡和苯乙烯总质量的5％称甲基丙烯酸，0.5％～2％十二硫醇，2％～5％十二烷基苯磺酸钠，2％～10％过硫酸钾；将苯乙烯、甲基丙烯酸、十二硫醇加入到去离子水中，搅拌得到溶液；将石蜡融化加入上述溶液中；溶解十二烷基苯磺酸钠加热至50℃，加入到上述混合溶液中，超声乳化后，加入四口容器；通氮0.5h，水浴至70℃，搅拌，再加入过硫酸钾溶液，聚合；冷却、真空抽滤、干燥得到样品。解决了包覆材料种类单一问题，增强了相变微胶囊的实用性，相变温度范围得到扩展，扩大了相变微胶囊的应用范围。
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公开(公告)号：CN101765031A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910243040.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种大容量光纤光栅传感监测系统，属于光纤传感领域。包括宽带光源、可调谐滤波器、信号处理系统、光电探测器、1×2耦合器、1×8光开关、八个光分路器、三十二根光纤延迟线，三十二路串联的光纤布拉格光栅传感器。通过采用不同中心波长的光纤光栅传感器串联和多路传感器并行布设传感网络，通过光纤延迟线的延时，不同路的反射信号在时序上得到了分离，因此，信号处理系统可以根据接收时间的不同结合已存于内存中的编号信息区分信号的来源，实现了时分复用和波分复用的结合，测量点数是单纯使用波分复用技术的4倍，由延时光纤的长度差异、脉冲宽度及占空比决定，因此测量点数多，测量范围大，可以进行多点分布式大容量监测。
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公开(公告)号：CN100468662C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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