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公开(公告)号：CN102385241A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1763632B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510112619.2
申请日：2005-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。
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公开(公告)号：CN101052917A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580036565.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN103858210B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280047186.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。
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公开(公告)号：CN103858210A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280047186.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。
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