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公开(公告)号：CN107078649B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580056287.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明提供一种变压器，该变压器的前级电路包括：开关串联单元，电容器以及接地电路径。并联至电源的开关串联单元包括：被配置为交替导通的奇数/偶数开关。假设开关的互连点以及开关串联单元的两端的点为总计m个节点，则两端的点中的一个是接地节点，电容器设置在合并奇数节点并将奇数节点引导至第一输出端口的第一电路径和合并偶数节点并将偶数节点引导至第二输出端口的第二电路径中的至少一个电路径上，且存在电容器以便对应于除接地节点之外的至少(m‑1)个节点。接地电路径将接地节点直接连接至第一输出端口而无需插入的电容器。
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公开(公告)号：CN107112908A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580054952.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 变压器包括作为前级电路的开关串联单元和电容器。开关串联单元包括被配置为交替接通的奇数编号的开关和偶数编号的开关，并且作为整体与电源并联连接。假设各个开关的相互连接点和开关串联单元两端的点被视为是总共m个节点，则电容器被设置在至少以下一个电路径上：组合奇数节点并将奇数节点引导到第一输出端口的第一电路径，以及组合偶数节点并将偶数节点引导到第二输出端口的第二电路径。存在电容器以便对应于至少(m‑1)个节点。变压器包括作为后级电路的元件串联单元和电感器。元件串联单元由彼此串联连接并且执行相反极性的导电操作的一对半导体元件组成。元件串联单元的两端中的一端连接到第一输出端口，而其另一端连接到第二输出端口。电感器设置在至少以下一个电路径上：组合作为元件串联单元的两个端点的两个节点并将两个节点引导到负载的两端中的一端的第三电路径，以及将作为该一对半导体元件的相互连接点的一个节点引导到所述负载的另一端的第四电路径。电感器存在以便对应于总共三个节点中的至少两个节点。
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公开(公告)号：CN105453274A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480001313.7
申请日：2014-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/054 , H01L31/044 , H02S20/32
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种聚光光伏模块，包括：被提供为与外壳的底表面接触的柔性印刷电路；以及由被布置的多个透镜元件形成的主聚光部，每个透镜元件聚集阳光，其中柔性印刷电路包括：绝缘基底材料和导电图案；被提供在该图案上以便分别与透镜元件对应的多个发电元件；具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的作为覆盖层的盖层，盖层覆盖并密封包括在绝缘基底材料上的图案的导电部；以及具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的粘合剂层，粘合剂层将绝缘基底材料和覆盖层粘结在一起。
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公开(公告)号：CN102959736B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN104426382A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410433065.5
申请日：2014-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H02M5/06
Abstract: 本发明涉及变压器。一种分布常数型变压器，其被设置在具有频率f的AC电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括：第一转换器，其连接到AC电源，并且具有长度λ/4；以及，第二转换器，其被设置在第一转换器的终端和负载之间，并且具有长度λ/4，其中，在频率f处的波长是λ。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101922045B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010202934.5
申请日：2010-06-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02008 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
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公开(公告)号：CN102084039B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN102484076A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038234.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7785 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。
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公开(公告)号：CN102137960A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134190.3
申请日：2009-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , B24B1/00 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02021 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02013 , H01L21/02389
Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
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公开(公告)号：CN102105835A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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