一种基于楔形液晶结构产生结构光的方法

    公开(公告)号:CN116300229B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202211100526.8

    申请日:2022-09-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于楔形液晶结构产生结构光的方法,包括:选择具有双折射效应的液晶分子,利用取向层将液晶分子进行取向;使得取向后液晶的上下表面具有一定夹角形成楔形液晶层,并确保制作的楔形液晶层中含有各向异性液晶结构;入射光入射至各向异性液晶结构,使入射光斑中心与各向异性液晶结构的液晶中心重合,透过各向异性液晶结构液晶中心的出射光为结构光。本发明提出了基于锲形液晶结构双折射的原理,实现了使用各向异性取向液晶分子作为结构光的产生器,并实现分离复杂光场的正交偏振分量(如径向偏振、切向偏振)及其携带的轨道角动量。

    一种耐高温高吸收陶瓷超原子及其制备方法

    公开(公告)号:CN118344138A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410420473.0

    申请日:2024-04-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温高吸收陶瓷超原子及其制备方法。该耐高温高吸收陶瓷超原子是将毫米波介质陶瓷进行高精度线切割得到的,所述毫米波介质陶瓷其组成表达式为Ba4Nd9.33‑xSmxTi18‑yCoyO54‑δ,式中x为3‑6,y为2‑3,δ为1‑1.5。本发明提供的陶瓷超原子结构简单紧凑,温度稳定性及耐受性高,可与毫米波不同频率超材料吸收器兼容,可满足当今毫米波技术小型化、多场景,特别是极端场景的应用需求。

    材料微区光学性质测量装置

    公开(公告)号:CN114235696B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202111549338.9

    申请日:2021-12-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及材料光学性质测量技术领域,具体涉及一种材料微区光学性质测量装置,该装置包括第一光源、反射光学通道、透射光学通道、信号测量通道和信号处理系统;第一光源,用于为反射光学通道和透射光学通道提供入射光;反射光学通道,用于传输材料微区的反射光信号;透射光学通道,用于传输材料微区的透射光信号;信号测量通道,用于获取材料微区的反射信号和透射信号的光谱和成像信息;信号处理系统,基于反射信号和透射信号的光谱和成像信息,对材料微区的原位成像‑原位光谱进行分析,完成材料微区光学性质测量。本发明能够准确获取材料微区的光学信息,在材料微区测试分析领域具有广阔的应用领域和发展前景。

    一种超材料基太赫兹光电转换器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115602749A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211264826.X

    申请日:2022-10-17

    Abstract: 本发明公开了一种超材料基太赫兹光电转换器件的制备方法。所述太赫兹光电转换器件至少包含一个超材料单元,所述超材料单元由电磁谐振结构和载流子结构组成。本发明以硅或锗作为衬底,通过多次光刻制备所需结构的掩膜,在掩膜作用下,通过掺杂、溅射等方式形成载流子结构、欧姆接触、电磁谐振结构和电极,最后通过金线键合封装成器件。根据实验测试,所制备的器件欧姆接触良好。本发明提供的制备方法简单,且与现有常规半导体微纳加工工艺兼容,可以提供一种具有高设计自由度、超快转换速度、较宽适用频率范围的新型太赫兹光电转换器件。

    一种基于非对称超材料结构的光电探测器

    公开(公告)号:CN114512556A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202011278290.8

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于非对称超材料结构的光电探测器。所述基于非对称超材料结构的光电探测器可以由一个超材料敏感单元组成,也可以由多个超材料敏感单元以阵列形式组成。超材料敏感单元由非对称电磁谐振结构与转换结构组成。工作时,电磁波与非对称电磁谐振结构耦合产生局域强磁场,通过将转换结构置于局域强磁场中,其自由载流子将会受到产生的洛伦兹力作用而发生偏转并具有定向移动分量,进而在转换结构的物理边界聚积形成直流电势差,如此便实现了高频电磁波(光)信号向直流电的转换。本发明提供的光电探测器具有结构简单、探测速度快、响应波段范围大、加工难度和制作成本低等突出优点。

    一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件

    公开(公告)号:CN113009746A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110200308.0

    申请日:2021-02-23

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 文永正 王陈 周济

    Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件。所述超材料由谐振单元和低损耗衬底组成,其中谐振单元由场增强结构和耦合结构两部分构成。在太赫兹波激发时,场增强结构由于谐振增强了局域的磁场和电场,耦合结构处于场增强位置,其载流子受磁场力的驱动做非谐振动,进而在室温下辐射出太赫兹二次谐波。本发明创造性地采用磁电耦合的超材料结构,其二阶非线性特性可通过调整超材料结构参数实现精确控制,具有超高设计自由度,且该超材料结构紧凑,易集成,在0.1‑30THz频率范围内具有相当广泛的应用前景。

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