公开(公告)号：CN101395305A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007680.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎 ,  平田宏治

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063

Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。

公开(公告)号：CN100414005C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN02804691.9

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  山崎史郎 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: C30B25/18

Abstract: 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。

公开(公告)号：CN101241965A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810000349.X

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN100395901C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200480012658.9

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN1958886A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610137998.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  平田宏治 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  山田祐嗣

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。

公开(公告)号：CN1784790A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012658.9

申请日：2004-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅井诚 ,  山崎史郎 ,  小泽隆弘 ,  生川满久

IPC: H01L33/00

Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。