公开(公告)号：CN205069594U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520869747.0

申请日：2015-11-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林正忠 ,  蔡奇风

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型提供一种扇出型封装结构，包括：再分布引线层；键合于所述再分布引线层上表面并与所述再分布引线层电连接的至少一个第一芯片；与所述再分布引线层电连接且顶部高于所述第一芯片的至少两个第一凸块结构；覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端的塑封层；以及制作于所述再分布引线层下表面的第二凸块结构。本实用新型中，所述塑封层不仅起到塑封作用，其结合所述第一凸块结构，可以替代TSV结构，实现堆叠型封装，相对于复杂的TSV制作流程，该类TSV结构更易制备，有利于简化工艺流程，降低成本。由于所述第一凸块结构嵌于所述塑封层中且暴露出上端，使得堆叠型封装更容易实现。