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公开(公告)号：CN106129197A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610795432.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED紫光外延结构及其制备方法，分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源，分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，以氢气或氮气为载气，通入反应室与氨气在900～1100℃发生化学反应，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积，制成外延结构。可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等，生长速率调节范围较广，较快的生长速率能够适用于批量生长。
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公开(公告)号：CN112622441A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011511487.1
申请日：2020-12-18
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工件自动喷码装置及方法，装置包括喷码单元、升降单元、机架和输送线单元；升降单元设置在机架上，升降单元用于支撑工件，输送线单元设置在喷码单元的正上方，用于吊装工件；喷码单元设置在机架上，喷码单元用于对工件进行喷码；通过输送线单元便于进行工件的输送，升降单元对喷码过程中的工件进行支撑固定，设置两个相对滑动的滑座，在滑座上设置有合围形成的环形导轨和齿轮圈，方便大型工件进出喷码单元，并且喷码头通过齿轮圈在环形导轨上移动，方便喷码头旋转进行喷码，通过采用第一半齿圈和第二半齿圈合围形成齿轮圈，第二扇形导轨和第一扇形导轨合围形成环形导轨，保证了喷码质量的稳定性和一致性。
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公开(公告)号：CN111422954A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010292164.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种实现污泥源头减量化的废水深度处理方法及其系统，废水先进入第一酸碱调节池，加硫酸溶液调节pH值至3～5，再进入电芬顿反应器进行芬顿深度氧化，曝气装置向阴极曝气；电芬顿反应完成后，出水进入第二酸碱调节池，加氢氧化钠溶液调节pH值至7～9，随后进入电化学反应单元进行处理，完成废水深度处理。本发明适用范围广，可适用于不同污水的深度处理。
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公开(公告)号：CN110438441A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910864277.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 西安建筑科技大学 , 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明还公开了一种Ti合金表面纳米化辅助制备的Si-Co-Y共渗层及其制备方法，本发明利用表面纳米化与扩散共渗工艺相结合的方式，通过高能喷丸在基体合金表面制备出纳米化组织，增加晶界数量和晶界缺陷，提高基体合金的表面活性，促进共渗过程中被渗原子在基体合金表面的吸附，并且喷丸引入的大量空位和位错能够促进被渗原子在基体合金中的扩散，进而促进Si、Co和Y的共渗，获得耐磨性能和高温抗氧化性能优良的Ti合金表面防护涂层体系，对于促进和拓展Ti合金的实际应用，具有重要意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN109967292A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910314161.0
申请日：2019-04-18
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于工件轮廓信息三维重构的自动喷涂系统及其方法，包括控制系统、三维重构模块、输送系统和自动喷涂设备，输送系统分别与控制系统和自动喷涂设备连接，三维重构模块能够对待喷工件的轮廓进行建模并发送给控制系统进行喷涂路径规划，喷漆设备包括喷漆室，喷漆室与控制系统连接，能够根据喷涂路径对将待喷工件进行自动喷涂。本发明解决了现有涂装行业中功能单一，喷涂柔性不高的问题，提高了喷涂产线的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449899B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610793903.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构蓝光LED芯片的制备方法，以带有低应力缓冲层的衬底作为生长基础，然后，在平整的u‑GaN表面依次生长其他各层外延，制备得到蓝光LED外延片；最后将蓝光LED外延片制成垂直结构LED，主要包括以下环节：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用激光剥离技术剥离衬底；在u‑GaN表面制出另一极金属电极图形。本发明制备的垂直结构LED单颗芯片功率较大，减少了串并联LED数量，可以实现以单芯片满足用户需求，同时简化驱动电路设计，大大提高LED产品的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN109742199A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811641515.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带保护电路的蓝光垂直结构LED芯片及其制备方法，在单个芯片上隔离出部分外延层，使用平面工艺刻蚀掉保护电路的一部分，将主发光区的P电极和保护区的N电极连接，在低掺Si的n-GaN做肖特基接触，再将主发光区的N电极和该电极连接，利用外延片的垂直结构，在不改变外延层结构的基础上牺牲部分发光区面积构造ESD保护电路。本发明利用外延片的垂直结构特点，在不改变外延层结构的基础上牺牲一小部分发光区面积，直接在LED芯片上构造ESD保护电路，从源头解决ESD保护电路防护问题。
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公开(公告)号：CN106328776B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610796255.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构紫光LED芯片的制备方法以带有低温u‑GaN修复层及基底的衬底作为生长基础，然后，在平整的u‑GaN表面依次生长其他各层外延，制备得到紫光LED外延片；最后将紫光LED外延片制成垂直结构LED，主要包括以下环节：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用激光剥离技术剥离衬底；在u‑GaN表面制出另一极金属电极图形。本发明制备的垂直结构LED单颗芯片功率较大，减少了串并联LED数量，可以实现以单芯片满足用户需求，同时简化驱动电路设计，大大提高LED产品的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN105202936B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510654585.3
申请日：2015-10-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: F28B9/10
Abstract: 本发明公开了一种低能耗凝汽器变频真空系统，包括依次通过管道连接的凝汽器、蝶阀、ZJP罗茨真空泵、大气喷射器总成、水环真空泵、分离器和止回阀；在ZJP罗茨真空泵和大气喷射器总成之间的管道上设置有破真空装置；在水环真空泵和分离器之间还连接有冷凝器；所述蝶阀、ZJP罗茨真空泵、破真空装置、大气喷射器总成水环真空泵、分离器和止回阀设置在机箱中。本发明采用ZJP罗茨真空泵代替气冷罗茨泵，系统能耗小、抽速恒定、温升低、噪音小；采用变频真空泵自动调节抽速与压缩比，防止系统跳闸停机或备用泵启动，提高系统可靠性，降低能耗，防止汽蚀发生。
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公开(公告)号：CN104630720B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510032882.4
申请日：2015-01-22
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种耐蚀P110钢套管接头的加工方法，通过将预处理好的P110钢套管接头放入等离子表面冶金炉内的工件台上，将由两件镍基合金组成的镍基合金分别置于P110钢套管接头的内壁和外壁，炉壳为阳极，并接地，抽至真空后，通入保护气并对放置于炉腔内的P110钢套管接头进行溅射、清洗；之后分别对工件极和镍基合金施加偏压，令其升温；镍基合金中被氩离子轰击出来的金属离子或粒子在电场的作用下向P110钢套管接头内壁和外壁表面加速运动，保温后即可得到表面覆盖有镍基合金涂层的P110钢套管接头，从而较现有技术节约了成本。且由于镍基合金具有优良的防护性能，从而保证P110钢套管接头的耐蚀性能。
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