一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜及其制备方法与用途

    公开(公告)号:CN119144929A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411596458.8

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明属于激光光学技术领域,本发明的提供了一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜及其制备方法与用途,所述制备方法采用特定的氧化铪陶瓷靶与稀土靶进行搭配,进行双靶磁控溅射,得到立方相稀土掺杂氧化铪薄膜。通过特定的制备方法获得的稀土掺杂氧化铪薄膜相比于单一组分的氧化铪薄膜,具有更高的激光损伤阈值,更高的导热系数从而具有更优异的高温相稳定性,有效避免了由于激光热损伤引起的膜系失效缺陷,有利于制造更稳定的激光光学元件,如激光增透光学元件和激光反射防护光学元件等,为高能激光系统提供支持。

    一种激光无线能量传输装置及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119051291A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411305864.4

    申请日:2024-09-19

    Abstract: 本发明涉及一种激光无线能量传输装置及其制备方法和应用,所述激光无线能量传输装置包括:热电组件,以及由所述热电组件隔开的激光吸收组件和散热组件;所述热电组件包括至少一个热电器件;所述热电器件包括热电臂层,在所述热电臂层两侧均设置有防扩散层、电极层和陶瓷层,所述防扩散层位于所述热电臂层和所述电极层之间,且所述热电臂层、电极层与防扩散层进行接触连接,所述热电臂层两侧的陶瓷层分别与所述激光吸收组件和散热组件相邻接。本发明组装成的激光无线能量传输装置,能够将高能激光产生的热能转换为电能,实现远距离激光无线能源传输,具有热源高度集中、精准可控且能够以预定的量值准确投射到热电转换器件表面的特点。

    一种热障涂层材料及其制备方法、热障涂层及其应用

    公开(公告)号:CN117327416A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311273141.6

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明提供了一种热障涂层材料及其制备方法、热障涂层及其应用,所述热障涂层材料包括Re掺杂氧化铪,所述Re为三价的Yb元素和/或Lu元素。本发明中Re掺杂进入氧化铪晶格后,三价的Yb元素和/或Lu元素取代了四价铪离子,根据导热理论,不同类型的离子间的差异形成点缺陷,增加了晶格的不对称性,形成了新的声子散射中心,同时产生了一定量的氧空位,增强了声子散射,从而降低了声子平均自由程,热导率减小;同时,氧空位的产生也会使得晶胞中离子间距增大,促进Hf‑O键的伸长,从而导致热膨胀系数增大;本发明中提供的热障涂层材料具有在高温下具有良好相稳定性、热导率较低且与航空发动机热端部件热膨胀系数的适配性高等优势。

    一种陶瓷材料及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN117229061A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311258503.4

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法和用途。所述陶瓷材料的主相包括立方氮化硼、六方氮化硼和稀土氧化物,所述六方氮化硼的体积分数大于所述立方氮化硼的体积分数,所述陶瓷材料的弹性模量>15GPa,所述陶瓷材料的纳米压痕硬度不低于250MPa。所述制备方法包括:1)将立方氮化硼和稀土氧化物混合后,得到稀土掺杂立方氮化硼的混合粉体;2)对所述混合粉体进行热压烧结,促使发生稀土氧化物催化立方氮化硼向六方氮化硼的原位相转变,得到所述的陶瓷材料。本发明的方法能够有效提高陶瓷材料的致密度和机械性能,该陶瓷材料在高温下具有良好的稳定性。本发明的陶瓷材料机械性能强,致密度高,可应用于透波陶瓷领域。

    一种激光光电与热电耦合一体化的激光无线能量转换装置

    公开(公告)号:CN120073974A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510331906.X

    申请日:2025-03-20

    Inventor: 黄晓旭 张伟刚

    Abstract: 本发明涉及一种激光光电与热电耦合一体化的激光无线能量转换装置,通过将热电器件集成到激光光电能量转换芯片中形成激光无线能量转换装置,激光辐照到装置中心后,激光光电器件的部分激光能量被转换成电能;另一部分激光能量被器件吸收而产生热量并通过其外围的热电器件进行热电转换。本发明能够充分利用激光光电器件在激光能量转换中产生的废热进行热电转换,显著提高了对激光能量的综合利用率。

    一种镀膜高激光损伤阈值高反激光光学元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119980138A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510208704.6

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明涉及一种镀膜高激光损伤阈值高反激光光学元件及其制备方法,所述镀膜高激光损伤阈值高反激光光学元件的制备方法包括如下步骤:(1)将基片进行超声清洗,然后采用阳极离子源产生的Ar等离子体对基片进行清洗,得到预清洗基片;(2)在步骤(1)所得预清洗基片的表面交替进行高折射层镀膜与低折射层镀膜,得到镀膜基片;在所得镀膜基片的表面进行保护层镀膜,得到所述镀膜高激光损伤阈值高反激光光学元件。本发明在进行高折射层镀膜与低折射层镀膜之前,先采用阳极离子源产生的Ar等离子体对基片进行清洗,显著提高了薄膜与基片组成的高反激光光学元件的激光损伤阈值。

    一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119824382A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510319059.5

    申请日:2025-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括:将第一和第二靶材分别置于第一和第二磁控溅射靶位,利用惰性气体等离子体在0.5Pa‑1.5Pa的工作真空度下对硬质基片进行预清洗并达到软刻蚀效果;将氮气等离子体作为反应气体,惰性气体作为工作气体,第一和第二靶材同时在所得软刻蚀硬质基片表面反应共溅射,得到高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜。本发明采用硬质基片惰性气体等离子体预清洗+氮气等离子体辅助反应+双靶共溅射相结合,搭配特定预清洗的工作真空度,可以制备得到结构稳定性更优、表面应力更低、内部缺陷更少、结晶度更高的C轴择优取向的ScAlN薄膜。

    一种测试激光电池阵列芯片的系统装置及方法

    公开(公告)号:CN119093874B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411596732.1

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明属于激光技术领域。本发明提供了一种测试激光电池阵列芯片的系统装置及方法,所述测试激光电池阵列芯片的系统装置包括激光单元、检测单元、控制单元与处理单元;所述检测单元包括探针,所述探针在源表、示波器及电子负载之间切换,实现多种检测功能;所述控制单元包括信号同步控制与触发模块,实现激光器及源表及其他检测设备终端的协同工作;本发明通过系统化的装置实现激光电池阵列芯片的多种测试需要,并能实现高功率密度激光能量转换电池阵列芯片精确测试。

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