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公开(公告)号：CN104332539A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410299430.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/025
Abstract: 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN103187514A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310123520.7
申请日：2013-04-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种LED封装结构，其特征在于，采用在透明的LED封装基板上进行LED芯片封装，利用透明LED封装基板替代了现有LED封装的反射式基板，同时在透明LED基板的正反两面都点有透明胶体或混合了荧光粉的透明胶体，形成一个双面发光光源。本发明利用了LED芯片正反两面都能出光的特性，利用透明LED封装基板使LED芯片正反两面发出的光都能有效射出，极大地增加了LED封装光源的发光效率。
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公开(公告)号：CN102544309A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110244382.9
申请日：2011-08-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本技术涉及一种带凹面镜形封装基座的LED芯片封装结构，其中凹面镜形封装基座上表面的凹面镜用以反射LED芯片侧面及背面发出的光，使之成为平行光并由正面射出。所述封装结构包括：一高反射率凹面镜形封装基座，该封装基座的上表面为抛物线旋转面，并渡有高反射率金属层；两个引线框；普通LED芯片，LED芯片安装于凹面镜形封装基座的凹面镜焦点上，LED芯片与基座之间的空隙内灌入封装环氧树脂胶；密封物，将LED芯片封于其内，以完成LED封装结构。本技术提高了LED芯片的光效，增大了LED芯片的发光角度，一定程度上解决了LED的眩光问题。并且减小了热量在LED芯片背面的聚集，从而减小了LED芯片的光衰，提高了寿命。
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公开(公告)号：CN102443842A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110350936.3
申请日：2011-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN单晶的制备方法,本方法所需装置简单，利用金属Ga源和单晶AlN在防止氧化的情况下将Ga扩散进AlN单晶形成AlGaN.通过X射线衍射结果分析所制备的AlGaN单晶体具有高铝组分。所生长的AlGaN单晶有一定使用价值，该AlGaN单晶衬底可供AlGaN等III-N半导体材料薄膜同质外延之需。
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公开(公告)号：CN107546221B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710681452.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/64
Abstract: 本发明提供一种远程荧光LED器件及其制备方法，其中LED器件包括LED封装基板、块状固体荧光体、LED芯片；所述LED封装基板的发光面上设置有功能区，所述功能区内设置有一个以上LED芯片，其中，所述块状固体荧光体设置于已完成LED芯片安装的LED封装基板的功能区的上方，所述块状固体荧光体并与LED封装基板构成一个完整封闭的腔体，同时，所述LED封装基板的功能区内设置有两个以上通孔。再将高热导率的导热柱插入通孔，导热柱贯穿封装基板并靠近或接触块状固体荧光体。通过该高热导率导热柱，能够高效地将块状固体荧光体的热量传导至封装基板上，从而提升LED器件的散热能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109748584B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201711093408.8
申请日：2017-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01G4/12 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种钆钡掺杂镍酸盐陶瓷及其制备方法和应用；所述钆钡掺杂镍酸盐陶瓷的化学式为Gd2‑xBaxNiO4，其中，0.1≤x≤0.6；所述钆钡掺杂镍酸盐陶瓷的制备方法包括如下步骤：(1)将钆源、钡源和镍源原料与氧化铝球和无水乙醇混合，进行球磨，得到粉体；(2)将步骤(1)得到的粉体过筛，进行焙烧；(3)向步骤(2)焙烧后得到的粉体中加入聚乙烯醇(PVA)水溶液，研磨造粒，过筛，压制成陶瓷胚体，排胶，得到排胶后的陶瓷胚体；(4)将步骤(3)得到的陶瓷胚体进行烧结，得到钆钡掺杂镍酸盐陶瓷。所述操作方便，合成工艺简单，制备成本低；所述钆钡掺杂镍酸盐陶瓷可用作电介质陶瓷，例如用作电容器(如储能电容器)材料使用。
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公开(公告)号：CN109748583B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201711091644.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种镧钐掺杂镍酸盐陶瓷及其制备方法和应用；所述镧钐掺杂镍酸盐陶瓷的化学式为La2‑xSmxNiO4，其中，0.1≤x≤0.6；所述镧钐掺杂镍酸盐陶瓷的制备方法包括如下步骤：(1)将镧源、钐源和镍源原料与氧化铝球和无水乙醇混合，进行球磨，得到粉体；(2)将步骤(1)得到的粉体过筛，进行焙烧；(3)向步骤(2)焙烧后得到的粉体中加入聚乙烯醇(PVA)水溶液，研磨造粒，过筛，压制成陶瓷胚体，排胶，得到排胶后的陶瓷胚体；(4)将步骤(3)得到的陶瓷胚体进行烧结，得到镧钐掺杂镍酸盐陶瓷。所述操作方便，合成工艺简单，制备成本低；所述镧钐掺杂镍酸盐陶瓷可用作电介质陶瓷，例如用作电容器(如储能电容器)材料使用。
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公开(公告)号：CN110526712B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201810507570.8
申请日：2018-05-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种掺杂YAG透明陶瓷及其制备方法与用途。通过采用固相成型方法并在真空高温烧结的条件下，首次得到透过率较高的掺杂YAG透明陶瓷。制备得到的掺杂YAG透明陶瓷具有高温稳定性和光学性能。在制备过程中，采用粘结剂和球磨溶剂加入到原料的混合氧化物中，同时添加低价态的烧结助剂如CaO和/或MgO，所述烧结助剂用于稳定U4+和/或U6+，且用Ca2+或Mg2+和高价态的掺杂U4+和/或U6+来稳定要取代的Y3+位置，再将素坯采用真空烧结方式，在较低的温度下得到透明的掺杂YAG透明陶瓷。当添加CaO和/或MgO作为烧结助剂时，其能与烧结物形成固溶体时，使晶格畸变而得到活化形成填隙型固溶体或缺位型固溶体，可降低烧结温度，有助于烧结，可以达到较高的活性。
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公开(公告)号：CN109659242B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710935433.X
申请日：2017-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法，所述检测方法工艺简单，成本低，效果好，快速高效。由于倒装技术门槛较高，中小企业不具备经济实力支持这种研发工作，严重的阻碍了倒装共晶LED的推广。采用本发明的方法之后，中小企业和研究机构可以通过一次测试，确定标准倒装共晶LED，其他待测倒装共晶LED只要通过对比散热效果(即芯片和基板之间的温差)即可了解其共晶效果，大大促进了高功率倒装LED共晶技术的发展。
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公开(公告)号：CN108530056B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710128537.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/465 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本文公开了一种巨介电低损耗钛酸锶钡陶瓷，其化学通式为Ba1‑xSrxTiO3，其中x为Sr的摩尔数，x的范围为0
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