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公开(公告)号：CN110908037B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911204311.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种光波导及其制造方法。所述光波导包括：半导体衬底；下包层，位于所述半导体衬底的上表面；波导结构，位于所述下包层的上表面的第一区域；采用高温氧化气相沉积工艺获得的第一上包层，位于所述下包层的上表面的第二区域和所述波导结构的上表面；第二上包层，位于所述第一上包层的上表面。所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的上表面形成下包层；在所述下包层的上表面的第一区域形成波导结构；采用高温氧化工艺在所述下包层的上表面的第二区域和所述波导结构的上表面沉积第一上包层；在所述第一上包层的上表面形成第二上包层。本发明提供的光波导及其制造方法，有效地降低了波导传输损耗。
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公开(公告)号：CN112462452A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011165681.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作光子晶体的方法及光子晶体，该制作光子晶体的方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成凹槽；采用原子层沉积(ALD)工艺在所述凹槽内形成侧墙；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成孔洞结构。采用原子层沉积侧墙工艺，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN109686658B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811526241.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/18 , H01L31/105
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：在第一衬底的表面上依次设置第一介质层、波导层和第二介质层形成第一待键合结构；形成包括第二衬底和设置在第二衬底表面上的第二预探测层的预探测结构，第二预探测层包括沿远离第二衬底方向依次叠置的第一子结构层和第二子结构层或者第二预探测层包括第二子结构层，第二子结构层的生长温度大于第一子结构层的生长温度；在第二子结构层的表面上设置第三介质层，形成第二待键合结构，第二介质层和第三介质层的材料相同；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，形成键合结构；至少去除第二衬底，预探测结构中只剩余第二子结构层。该制作方法制备得到的探测器中的暗电流较小。
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公开(公告)号：CN112285828A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011062486.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种端面耦合器及其封装方法、应用。一种端面耦合器的封装方法，包括：在SOI片上形成端面耦合器；在端面耦合器设有沟槽开口的表面等离子体增强化学气相沉积氧化硅；进行后续封装工序。本发明利用PECVD的低台阶覆盖率特点对端面耦合器的沟槽开口封口，解决了后续封装材料填充堵塞沟槽导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN111509079A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010065723.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种锗探测器及其制作方法，包括：在SOI衬底上形成第一介质层；将所述第一介质层刻蚀至所述SOI表面，形成凹槽；在所述凹槽内形成探测层；在所述第一介质层和所述探测层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二介质层，由于在该探测层上形成多晶硅层，从而将该探测层进行了钝化，该多晶硅层可以阻止外界杂质向探测层上表面扩散，从而防止后续的沉积工艺过程中的离子损伤，为后续探测层表面注入时的缓冲层，降低注入对探测层的晶格损伤，从而降低该探测器的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111509078A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010065061.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器及其制造方法，所述硅基光电探测器的制造方法包括：在半导体衬底的上表面形成第一介质层；对所述第一介质层和所述半导体衬底进行刻蚀，形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器及其制造方法，通过将外延生长探测层的窗口设置在所述第一介质层和所述半导体衬底上，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN111508834A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911402932.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在半导体衬底的上表面形成介质层结构，所述介质层结构包括至下而上依次层叠设置的第一介质层、停止层以及第二介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第二介质层进行刻蚀，形成第一凹槽；采用干法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽；采用湿法刻蚀工艺对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，形成第三凹槽；在所述第三凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第二介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以减小所述硅基光电探测器的暗电流。
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公开(公告)号：CN111208606A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010044717.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种光波导及其制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上表面形成第一下包层；在衬底下表面形成第二下包层；在第一下包层上表面形成波导结构；在第一下包层上表面和波导结构上形成第一上包层；在第二下包层下表面形成第三下包层；在第一上包层上表面形成第二上包层；在第三下包层下表面形成第四下包层，通过在硅片正反面多次沉积相同材料的方法，将圆片正反面进行应力匹配，有效避免了由于单面沉积膜本身应力过大或者由于单面沉积膜过厚且高温退火释放应力造成的硅片翘曲，进而改善了硅片翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN111048626A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911368532.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；在所述第二凹槽的底部形成牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述SOI衬底；在所述SOI衬底上生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN110908037A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911204311.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种光波导及其制造方法。所述光波导包括：半导体衬底；下包层，位于所述半导体衬底的上表面；波导结构，位于所述下包层的上表面的第一区域；采用高温氧化气相沉积工艺获得的第一上包层，位于所述下包层的上表面的第二区域和所述波导结构的上表面；第二上包层，位于所述第一上包层的上表面。所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的上表面形成下包层；在所述下包层的上表面的第一区域形成波导结构；采用高温氧化工艺在所述下包层的上表面的第二区域和所述波导结构的上表面沉积第一上包层；在所述第一上包层的上表面形成第二上包层。本发明提供的光波导及其制造方法，有效地降低了波导传输损耗。
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