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公开(公告)号：CN102485965A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574410.9
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对深盲孔进行电镀的方法，该方法适用于电镀金、镍、铜、银等金属及其合金的深盲孔的电镀，包括清洗半导体芯片；在半导体芯片上生长一层刻蚀阻挡层；在阻挡层上涂上光刻胶，曝光、显影，光刻出腐蚀区；通过干法、湿法等方法刻蚀出没有被光刻胶覆盖的阻挡层；采用乙醇、丙酮去掉光刻胶；采用ICP刻蚀出需要的深度，去掉多余的阻挡层；蒸发/溅射启镀层；根据盲孔的深度与宽度调节喷镀所需要气体与溶液所需要的强度。本发明解决了深盲孔电镀的问题，满足了集成电镀的背金的电镀，特别是在大功率的集成电路的散热的需要。
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