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公开(公告)号：CN103352249A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310236892.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入独立腔室中，加热使衬底温度达到500-1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1-760torr下反应，反应结束后降至室温，即可。本发明简单易操作，本发明的方法可以使相同衬底上制备的多晶石墨烯单晶晶畴尺寸增大数倍甚至10倍以上，重复性高并且不影响其他生长参数对石墨烯生长的控制。
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