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公开(公告)号：CN105180969B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510725131.0
申请日：2015-10-29
Applicant: 中北大学
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明涉及硅微机械陀螺仪的动态标定技术，具体是一种面向闭环检测的微陀螺批量动态测试方法。本发明解决了现有硅微机械陀螺仪动态标定方法标定结果不准确、标定过程费时费力、标定效率低下的问题。一种面向闭环检测的微陀螺批量动态测试方法，该方法是采用如下步骤实现的：1)各个硅微机械陀螺仪均采用单独的驱动闭环回路；2)各个硅微机械陀螺仪共同配备一个外接信号源；各个硅微机械陀螺仪均配备单独的闭环式哥氏力等效信号发生装置；3)各个硅微机械陀螺仪均采用单独的检测闭环回路；4)各个硅微机械陀螺仪均配备单独的采集设备。本发明适用于硅微机械陀螺仪的动态标定。
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公开(公告)号：CN106500551B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201611179414.0
申请日：2016-12-19
Applicant: 中北大学
IPC: F42B35/00
Abstract: 本发明涉及主动半捷联惯性测量系统，具体是一种主动半捷联惯性测量系统转子振动噪声分析抑制方法。本发明解决了主动半捷联惯性测量系统因转子振动噪声导致测量精度降低的问题。一种主动半捷联惯性测量系统转子振动噪声分析抑制方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤S1：分别采集到系统的Y轴加速度计输出的比力数据、Z轴加速度计输出的比力数据、光电编码器输出的相对转角数据；步骤S2：对光电编码器输出的相对转角数据进行微分；步骤S3：对电机转速数据进行分段；步骤S4：对比力数据进行分段；步骤S5：对各个比力数据片段进行低通滤波；步骤S6：对各个比力数据片段进行拼接。本发明适用于主动半捷联惯性测量系统。
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公开(公告)号：CN106840195A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611179449.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01C25/00
CPC classification number: G01C25/005
Abstract: 本发明涉及半捷联微惯性测量系统，具体是一种旋转式半捷联微惯性测量系统误差抑制方法。本发明解决了现有半捷联微惯性测量系统的精度无法进一步提高的问题。一种旋转式半捷联微惯性测量系统误差抑制方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤S1：假设在初始时刻，s系、b系、b'系重合；步骤S2：IMU处于微旋状态；步骤S3：测量弹体的旋转角度与IMU的微旋角度之差；步骤S4：得到b'系到n系的坐标转换矩阵；步骤S5：由表示b'系到n系的坐标转换矩阵；步骤S6：IMU先正旋，再反旋；步骤S7：将式(3)分别代入式(7)和式(8)中；步骤S8：得到IMU正旋和反旋时的姿态角误差；步骤S9：得到一个正反转周期的姿态角误差。本发明适用于高速旋转弹药的飞行姿态测量。
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公开(公告)号：CN106840146A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611179415.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01C21/16
CPC classification number: G01C21/16
Abstract: 本发明涉及半捷联稳定平台，具体是一种增加半捷联稳定平台回复力矩的设计方法。本发明解决了现有半捷联稳定平台重力回复力矩较小的问题。一种增加半捷联稳定平台回复力矩的设计方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤S1：制作一个其槽口朝上的半圆形槽体和一个其端面呈弓形的柱形配重块；步骤S2：选取一个惯性测量组合，并将惯性测量组合的下表面与柱形配重块的平侧面固定在一起；步骤S3：制作一个其槽口朝下的矩形槽体；然后将矩形槽体的槽口与半圆形槽体的槽口对接在一起；步骤S4：制作一个其上部呈矩形、其下部呈半圆形的前端盖；制作一个其上部呈矩形、其下部呈半圆形的后端盖。本发明适用于半捷联式惯性测量系统。
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公开(公告)号：CN105241455A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510723294.5
申请日：2015-10-29
Applicant: 中北大学
CPC classification number: G01C21/165 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及微型定位-导航-授时系统（μPNT）的微装配技术，具体是一种基于TSV技术的μPNT微尺度立体堆叠方法。本发明解决了现有采用SOG技术的微型定位-导航-授时系统微装配方法加工难度过大、成品率过低、体积过大、适用范围受限、装配精度过低的问题。基于TSV技术的μPNT微尺度立体堆叠方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取一个玻璃层，并在玻璃层的上表面溅射金属引线层；b.选取一个硅层，并将硅层的下表面与玻璃层的上表面键合在一起；c.重复进行步骤a-b，由此得到若干个SOG；d.在各个SOG的硅层上刻蚀形成上下贯通的TSV。本发明适用于微型定位-导航-授时系统的微装配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104897150A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510334584.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 中北大学
IPC: G01C19/5776 , G01C25/00
CPC classification number: G01C19/5776 , G01C25/005
Abstract: 本发明涉及微机械陀螺仪，具体是一种提升硅微机械陀螺仪带宽全温性能的方法。本发明解决了微机械陀螺仪无法兼顾机械灵敏度和带宽、带宽全温性能差的问题。一种提升硅微机械陀螺仪带宽全温性能的方法，该方法是采用如下步骤实现的：1)以扫频的方式确定微机械陀螺仪驱动模态和检测模态的谐振角频率；2)根据微机械陀螺仪驱动模态和检测模态扫频测试的结果，计算得出微机械陀螺仪驱动模态和检测模态的品质因数；3)在微机械陀螺仪的检测回路中增设偶极子全温跟踪补偿控制器；所述偶极子全温跟踪补偿控制器包括温度补偿环节、零极点发生环节、比例环节。本发明适用于微机械陀螺仪。
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公开(公告)号：CN112938894B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110264919.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。本发明解决了冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题。一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤一：溅射第一金属电极层；步骤二：刻蚀形成硅凹槽；步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的上表面键合；步骤四：对硅片进行减薄；步骤五：释放MEMS器件的硅微结构；步骤六：刻蚀形成玻璃凹槽，刻蚀形成玻璃通孔；步骤七：将玻璃盖板的下表面与硅片的上表面键合；步骤八：溅射第二金属电极层；步骤九：包覆应力波内阻隔层；步骤十：包覆应力波外阻隔层。本发明适用于MEMS器件的抗冲击防护。
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公开(公告)号：CN118038256A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410139947.4
申请日：2024-01-31
Applicant: 中北大学
IPC: G06V20/05 , G06V10/764 , G06V10/30 , G06V10/778 , G06V10/22 , G06V10/24
Abstract: 本发明公开了一种面向水下受限偏振模式的增强定向方法，借鉴仿昆虫视觉神经通路在暗弱光线条件下的增强感知机理构建了一种仿生偏振模式强化算法，实现水下偏振传输受限条件下的弱偏振信息增强；再接续以非局部稀疏编码去噪模块进一步优化，考虑到偏振图像天顶有效区域细节结构的相似性，依托偏振角的稳定对称分布特性，对正负特征点分布遍历分配，准确地排除无效偏振像素。本发明可有效解决水下受限偏振模式导致的定向误差问题，可重建部分受破坏偏振角模式的对称性，降低外部干扰误差，自主解决拟合航向的纠偏，有效提高仿生偏振罗盘水下环境适应能力，提高偏振罗盘的定向精度。
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公开(公告)号：CN116342660B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202211092954.0
申请日：2022-09-08
Applicant: 中北大学 , 中国电子科技集团公司第五十三研究所
IPC: G06T7/269
Abstract: 本发明公开了一种多尺度分析融合加权滤波的仿生复眼光流场估计方法，用于仿生复眼在成像过程中光流场估计和异常值的去除，该方法包括构建广义变分光流场模型；利用非下采样轮廓波变换（NSCT）实现了多孔径光流场多频段分解和信息分离；采用引导滤波（GF）和贝叶斯阈值自适应策略，在保留重要运动细节和剔除异常点的同时兼顾算法复杂度和运算效率；在引导滤波中引入光流场梯度权重，实现了移动不连续区域的权值支持和孔径边缘约束。本方法通过剔除异常值，有效地提高了光流场估计的精度，并具有良好的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN117109642A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311130628.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS电容式传感器，具体是一种带有温度补偿的电容式传感器信号读出电路。本发明解决了现有MEMS电容式传感器信号读出电路读出精度较低的问题。一种带有温度补偿的电容式传感器信号读出电路，包括MEMS电容式传感器、基准偏置电路、第一电容电压转换电路、第二电容电压转换电路、第一温度补偿电路、第二温度补偿电路、第一高通滤波电路、第二高通滤波电路、差分放大电路、低通滤波电路；所述基准偏置电路包括电池；所述第一电容电压转换电路包括第一电压反馈运算放大器、第一电容、第二电容；所述第二电容电压转换电路包括第二电压反馈运算放大器、第三电容、第四电容。本发明适用于MEMS电容式传感器。
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