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公开(公告)号:CN202275604U
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201120349715.X
申请日:2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: G12B15/00
Abstract: 本实用新型公开一种用多管道液体冷却及温度控制的法兰装置,使冷却液体通过部件,带走热量,通过调节冷却液体与部件热交换面积,从而控制法兰部件温度。本实用新型包括法兰部件,法兰部件内部设有复数条独立的密封管道,密封管道首端连接进液管道,密封管道尾端连接出液管道,进液管道上设有进液开关,进液开关与密封管道之间设有液体过滤芯,法兰部件上设有温度探测器。本实用新型通过多管道调节热交换面积从而控制法兰部件温度,在部件内部制作多条独立的密封管道,外接进液管道和出液管道,通入冷却液,使其在管道中流动来带走两个接触面上的热量,对部件进行冷却,保护其不会因为温度过高而损坏。
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公开(公告)号:CN202270443U
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201120349762.4
申请日:2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种免拆装在线清洁的新型过滤装置,可以方便判断滤芯堵塞情况,简便实现免拆装在线清理,适用于长时间工作。本实用新型包含有过滤罐,过滤罐侧壁上设有物质输运入口,过滤罐内设有一圈滤芯挡环,滤芯挡环内设有滤芯,滤芯外缘设有除沉装置,滤芯上部设有出口,过滤罐下部的沉积物排出通道设有第一道排污阀与第二道排污阀,第一道排污阀与第二道排污阀之间设有沉积物过渡室,第二道排污阀的下面设有通道。本实用新型装置操作简单,维护方便,延长维护周期,提高设备利用率、为保证生产顺利进行提供保障。
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公开(公告)号:CN202717874U
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201220221883.5
申请日:2012-05-16
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/16
Abstract: 本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统,属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器,所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制,设置联动自动控制开关,根据各路源气的设定值,联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面,增加限制蝶阀角度控制,控制范围在大于5°小于40°之间,达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面,除了能实现自动运行菜单外,创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
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公开(公告)号:CN103603031A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310649519.8
申请日:2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法,通过在釜体配备多段独立控温系统,利用该控温系统调控使釜体内部隔板上下区域形成多等级的温度梯度,驱动内部液体形成高质量单晶体材料生长所需的对流场,调控晶种生长速度与溶质输运速度的动态平衡,抑制多晶孪晶的产生;同时,根据原材料的溶解性及晶体的结晶度,利用多段独立控温系统,在相应的区域设置不同的温度,提高原材料溶解速度和晶体生长速度;更重要的,根据需要灵活调节隔板的位置,使生长区域空间最大化,提高单炉生长的晶体数量。
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