公开(公告)号：CN200997086Y

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200620170898.8

申请日：2006-12-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  夏晓娟 ,  徐申 ,  李海松 ,  时龙兴

IPC: G05F3/24

Abstract: 本实用新型公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电压源。包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的基准电压输出端输出基准电压。本实用新型电路中不包含三极管，只包含NMOS管、PMOS管、电阻、电容四种器件，因此，具有结构简单的优点，在CMOS工艺线上实现方便、有效、兼容性好，不存在放大器失调的问题。

公开(公告)号：CN201130665Y

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200720046401.6

申请日：2007-09-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 李海松 ,  吴虹 ,  孙伟锋 ,  易扬波 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092

Abstract: 本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本实用新型结构，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。

公开(公告)号：CN201017885Y

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200620165093.4

申请日：2006-12-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 易扬波 ,  孙伟锋 ,  李海松 ,  李杰 ,  徐申 ,  夏晓娟 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/04

Abstract: 本实用新型公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方，上述重掺杂N阱与零电位相连接。本实用新型能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发，且本实用新型中深N型阱是高压结构中用到的深阱，对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。

公开(公告)号：CN200993963Y

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200620165096.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 易扬波 ,  徐申 ,  李海松 ,  孙伟锋 ,  夏晓娟 ,  李杰 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/04

Abstract: 本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本实用新型能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。