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实用新型
基板处理装置有权

公开(公告)号：CN208938930U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201821587754.1

申请日：2018-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大野宏树 , 佐藤秀明 , 稻田尊士 , 河野央 , 西脇良典 , 大津孝彦

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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