公开(公告)号：CN105008316A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012705.3

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也

IPC: C07C19/08 ,  H01L21/3065 ,  C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C17/389

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C07C19/08 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及高纯度2-氟丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积%以上，丁烯类的含量为1000体积ppm以下，以及将该高纯度2-氟丁烷用作干蚀刻气体的方法。根据本发明，提供适合于作为半导体用的等离子体反应用气体的、高纯度的2-氟丁烷。

公开(公告)号：CN104995158A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480009975.9

申请日：2014-02-19

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也

IPC: C07C23/08 ,  C07C17/354 ,  C07C17/383 ,  H01L21/3065 ,  C07B61/00

CPC classification number: C09K13/00 ,  B65D25/38 ,  C07C17/23 ,  C07C17/383 ,  C07C23/08 ,  C07C2601/10 ,  C23F1/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明是一种1H-七氟环戊烯，其特征在于，纯度为99.9重量%以上，且有机氯类化合物的含量为350重量ppm以下。根据本发明，可以提供作为面向半导体的等离子体反应用气体适宜的高纯度1H-七氟环戊烯。

公开(公告)号：CN101015044A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580025518.X

申请日：2005-05-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 关屋章 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  间濑贵信

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下、碳原子数为4～6的含氟化合物(其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化合物除外)构成的干式蚀刻气体；由选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6及C3F8的至少1种气体和上述干式蚀刻气体构成的混合干式蚀刻气体；将上述干式蚀刻气体等离子体化加工半导体材料的干式蚀刻方法等。根据本发明，提供能够安全地使用、对地球环境的影响小、能够对半导体材料高选择性且以高干式蚀刻速率实现图案形状良好的干式蚀刻的干式蚀刻气体、及使用该干式蚀刻气体的干式蚀刻方法等。

公开(公告)号：CN1127462C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN98813747.X

申请日：1998-12-25

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 山田俊郎 ,  漆间贵史 ,  杉本达也

IPC: C07C23/02 ,  C07C23/08 ,  C07C17/23 ,  B01J23/44

CPC classification number: C07C23/08 ,  C07C17/00 ,  C07C17/208 ,  C07C17/23

Abstract: 通过在贵金属催化剂的存在下，在液相或汽相中氢化具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物制备各具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物。具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的所述化合物优选为C4-C10脂环化合物，并可通过使具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物与氟化剂反应来制备。