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公开(公告)号：CN100365794C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200480001617.X
申请日：2004-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。
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公开(公告)号：CN1875467A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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公开(公告)号：CN1846300A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025471.2
申请日：2004-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , C23C16/511
Abstract: 在腔室(1)上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部(3)，在天线部(3)的下部设置有密封腔室(1)的开口部的顶板(4)，在顶板(4)的下表面一侧设置有环形的突条(41)，其径向的厚度以锥形连续变化，从而在等离子的任意条件下均可以在某处产生共振。由此，仅准备一种顶板就可以起到与准备各种厚度的顶板相同的效果，可以使等离子的吸收率显著提高，并且从高压至低压均可以稳定地产生等离子。
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公开(公告)号：CN1717796A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001617.X
申请日：2004-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有：多个处理室(20)，用于对容纳在其内部的基板实施处理；运送箱(24)，用于将容纳的基板运送至处理室(20)；移动机构，用于使运送箱(24)沿着移动线路进行移动。运送箱(24)在被从外部气氛隔离开的状态下容纳基板。多个处理室(20)以排列在运送箱(24)的移动线路的两侧的状态而配置，运送箱(24)与被排成两列而配置的处理室(20)的运送口(20a)相对应地具有两个运送口(24a)。
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公开(公告)号：CN103081074A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041727.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/2041 , H01J37/32192 , H01L21/0212 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31122
Abstract: 在作为被处理基板的硅基板上，形成碳氟化合物层(A)。在所形成的碳氟化合物层上形成抗蚀层(B)。然后，对抗蚀层进行利用光致抗蚀剂的曝光，以规定的形状进行图案化(C)。将以规定的形状进行了图案化的抗蚀层作为掩模，进行碳氟化合物层的蚀刻(D)。接着，去除作为掩模的抗蚀层(E)。然后，将所残留的碳氟化合物层作为掩模，进行硅基板的蚀刻(F)。由于仅碳氟化合物层一层就具备作为防反射膜和硬掩模的功能，因此可以提高处理的可靠性并且可以廉价地进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101278073B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680036514.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C14/24 , H05B33/10
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: 本发明提供原料供应装置，该原料供应装置将原料蒸发或升华并将其供应到蒸镀装置的处理容器中，该原料供应装置具有在内部保存所述原料的原料容器、向所述原料容器的内部供应运载气体的气体流入口、以及将与所述运载气体一起被蒸发或升华的所述原料供应到所述处理容器的气体排出口，其中在所述原料容器的内部设置气流控制部，用于控制所述运载气体的流动。
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公开(公告)号：CN101316946B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200680044543.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，具有处理容器、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管；该处理容器的顶部有开口，内部可被抽真空；该载置台设置在上述处理容器内，用于载置被处理体；该顶板气密地安装在上述顶部的开口处，由透过微波的电介体形成；该平面天线构件设置在上述顶板的上表面，用于向上述处理容器内导入微波；该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体，用于供给微波；其特征在于，以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路，在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。
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公开(公告)号：CN101347051B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780000945.1
申请日：2007-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。
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公开(公告)号：CN101953236A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105252.8
申请日：2009-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: 等离子体处理装置的等离子体产生室被顶板(3)封堵。顶板(3)在朝向等离子体产生室侧的面上设置凹部(3A)，在相反侧的面上具有中心部的凹部(3B)。在顶板(3)上耦合有天线(4)。在天线上连接有导波管。当从导波管供应微波时，供应的微波在天线之间向径向传播，并从天线的缝隙辐射。微波在顶板(3)中传播而具有极化面，作为整体形成圆极化波。此时，在顶板(3)具有的凹部(3A)的侧面产生微波的共振吸收，在凹部(3A)的内部以单一的模式传播。在具有多个的凹部(3A)各自的内部形成强的等离子体，并在顶板(3)中使等离子模式稳定。
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公开(公告)号：CN101036420B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200580034145.2
申请日：2005-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/31 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32266
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(100)，在由覆盖微波透过板(28)的外周的导电体构成的板(27)上，形成两个以上的孔(42)，该孔从微波透过板(28)的端部向着其内部，传送微波，通过体积调节机构(43、45)来调节孔的体积，在将微波透过板(28)分割成各孔(42)所属于的每个单元的情况下，调节各单元的阻抗，控制微波透过板(28)的电场分布。
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