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公开(公告)号：CN102256432B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN1984523B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200710004236.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H05H1/24 , H05H1/02 , H01L21/306 , C23C16/00 , C23F1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
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公开(公告)号：CN102117733B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010561532.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01J37/36
CPC classification number: B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101661863B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN102157372A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1983518B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN101047114A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091350.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN1983518A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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