公开(公告)号：CN1992164A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN1973363A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020518.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。