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公开(公告)号：CN1099682C
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN99113964.X
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属氧化膜电阻器及其制造工艺，采用含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料，具体成份为Si(35%-72%)、Cr(25%-50%)、Ni(2%-20%)，稀土元素含量为三元素总重量的0.1%-3.0%，采用直流溅射辅以离子电源加射频溅射工艺，得到独特的双层膜结构电阻体，直流溅射和射频溅射气体采用不同体积百分比的氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高，适合精密型电子元器件的要求。
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公开(公告)号：CN1382663A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02111913.9
申请日：2002-06-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/488 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 一种多元钨酸盐负膨胀微晶陶瓷涂层及其制备方法,陶瓷涂层组分为稳定的掺杂立方ZrW2O8固溶体微晶及非晶玻璃相,掺杂立方ZrW2O8固溶体中的元素,可以是三价金属元素,钼或磷元素,掺杂后的固溶体结晶相须保持稳定的立方相结构。采用湿化学工艺获得多元钨酸盐湿凝胶,在近零膨胀石英玻璃薄基片上,多次甩胶涂覆、热处理,形成致密无宏观缺陷的陶瓷涂层。本发明的陶瓷涂层与石英玻璃基片结合构成的叠层复合材料具有负膨胀行为,膨胀系数在温度为－20～80℃范围内为－2.0～－0.3×10－6/℃。本发明的陶瓷涂层及其叠层复合材料,能用于制作非温敏性光器件或电子器件的温度补偿材料。
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公开(公告)号：CN1332361A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01126339.3
申请日：2001-07-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01J3/52
Abstract: 本发明涉及一种三元合金系与参比合金的色差图及其制作方法,首先用分光光度计对三元合金系和参比合金进行颜色测量,得到色度参数L*,a*,b*,在计算机上进行数据处理求出色差ΔE*,再通过图形处理技术,得到表征三元合金系与参比合金颜色差别的黑白或彩色ΔE*－三角形。通过本发明的方法,将三元合金系与参比合金的颜色差别直观而准确地描绘出来,可以建立不同三元合金系与不同目标合金的色差数据库。本发明适于以颜色为主要设计指标的行业,特别对仿金、仿银、仿白铜合金的研制具有较高的参考价值和积极的指导意义。
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公开(公告)号：CN1328250A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01126340.7
申请日：2001-07-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种表征三元合金系颜色的彩色图形及其制作方法,首先用分光测色仪对三元系合金进行测量,得到合金的色度参数L*,a*,b*,再通过计算机数据处理和图形处理,绘制一组彩色色度参数三角形:L*－三角形、a*－三角形、b*－三角形和C*－三角形,再利用图形编辑技术,合成得到表征三元合金系颜色的彩色color－三角形。本发明得到的这些彩色图形不仅定量给出三元系合金的色度参数的大小,而且定性显示合金所对应的颜色状况。采用本发明可以建立常见艺术合金或装饰合金的色度参数数据库和color－三角形图,对于以颜色为主要设计指标的行业具有积极的指导意义和较高的参考价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1262336A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN00111439.5
申请日：2000-01-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22C29/12 , C22C32/00 , C22C1/04 , C04B35/495 , C04B35/628 , B22F1/02
Abstract: 一种高导热低膨胀复合材料及其制备工艺,以高导热特性铜Cu与负膨胀特性钨酸锆ZrW2O8为组元复合材料,采用化学镀工艺,在ZrW2O8粉体表面包覆铜层,掺杂微量超细石墨C粉,球磨混合过筛后采用冷等静压成型,再采用微波烧结的工艺,获得致密的Cu/ZrW2O8复合材料。本发明工艺简单合理,制得的复合材料有较高的致密度和较好的热稳定性,可以用作超大规模集成电路以及电子器件基片材料。
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公开(公告)号：CN1243322A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99113963.1
申请日：1999-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属膜高阻电阻器及其制造工艺,采用含镧系和锕系稀土元素的Si－Cr－Ni－Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料,具体成分为Si(35%—72%)、Cr(25%—50%)、Ni(2%—20%),稀土元素含量为三元素总重量的0.1%—3.0%,采用直流溅射加射频溅射工艺,得到独特的双层膜结构的电阻体,直流溅射气体为氩气,射频溅射气体为氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高,电阻温度系数低,适合精密型电子元器件的要求。
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公开(公告)号：CN100545322C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610116285.0
申请日：2006-09-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种材料表面处理技术领域的(MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法。本发明采用烧结的(MoxNb1-x)Si2多晶材料同时作为阳极和阴极材料，置于电解液中，在电压值为10V条件下处理5～12h，其中x＝0～0.6。本发明中(MoxNb1-x)Si2材料经阳极氧化处理后，其抗氧化性能相对未处理前多晶样品和单晶样品在1023K时有明显提高。与添加合金元素或高温氧化相比，此方法工艺操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN100489487C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610028326.0
申请日：2006-06-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种三元硅化物高温原位氧化的检测方法，属于用于材料高温氧化测试领域。本发明将钻有圆孔并且测量了表面积的三元硅化物材料试样用烧至恒重的铂铑丝悬挂，与试样相连的铂铑丝的一端伸入高温炉膛中间位置，铂铑丝的另一端处于炉膛外面与镍铬丝相连，镍铬丝悬挂于棉线下，棉线固定在电子天平底座的挂钩上，电子天平与计算机用数据线相连，试样在高温炉中随炉加热，当温度上升到540℃时，试样开始氧化，试样的质量发生变化，与电子天平相连的计算机连续记录试样的质量变化，根据该变化反映试样的抗氧化性。本发明试验方法易行，试验装置简单，不仅可用于原位氧化，还可用于循环氧化，非常直观方便的测试高温材料三元硅化物材料的高温抗氧化能力。
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公开(公告)号：CN100441727C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610117053.7
申请日：2006-10-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种改善三元硅化物高温抗氧化性能的方法，属于材料技术领域。本发明将三元硅化物材料试样置于激光加工机床上，将试样的待重熔面朝上，将激光工作头引向试样待重熔面的上方，激光工作头离试样待重熔面距离为10-20mm，用连续激光辐照试样表面形成熔池，用Ar气保护熔池表面以避免氧化。由于激光辐照试样表面时所形成熔池内特殊的冶金性质及快速凝固特性，在试样表面形成了与基体同成分且以冶金方式结合的重熔层，此重熔层致密、显微组织细小均匀、从而通过组织细化提高三元硅化物材料的高温抗氧化性。
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