公开(公告)号：CN1832021A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510133835.5

申请日：2005-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/409 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/08 ,  G11C11/4091

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置备有导通时的电容和截止时的电容不同的第一电容机构和第二电容机构。并且，通过使第一电容机构的一个电极的电位和第二电容机构的一个电极的电位从第一电位变为第二电位，来扩大输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位的电位差，以比较输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位。可以提高判断规定的输入电位比参考电位高还是低时的精度。

公开(公告)号：CN1822211A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009230.X

申请日：2006-02-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 村山佳树 ,  山田光一

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004

Abstract: 本发明提供一种存储器。该存储器具备：连接在位线上，并保持数据的存储器单元；和基极连接在位线上的双极晶体管。而且，在数据的读出时，由双极晶体管来放大出现在位线上的与存储器单元的数据对应的电流，以读出数据。因此，能够抑制数据判断精度的降低。

公开(公告)号：CN1691110A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510062401.0

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野口幸宏 ,  关根悟 ,  山田光一 ,  松本昭一郎

IPC: G09G3/30 ,  G09G5/10 ,  H05B33/08 ,  H05B37/02

Abstract: 在点顺次驱动方式的有源矩阵型显示装置中，多个像素呈矩阵状配置，选择控制电路在多个像素中选择要输入的亮度信号的水平像素线。数据控制电路依次将亮度信号输入所选择的水平像素线中包含的每一个像素中。非互补型驱动晶体管根据亮度信号驱动OLED。驱动晶体晶自行校正驱动晶体管的动作定时。校正晶体管控制自行校正的通断。保持电容保持校正后的亮度信号。驱动晶体管通过生成使用暂时地流动的亮度信号、根据驱动晶体管的动作阈值进行校正的亮度信号，自行校正驱动晶体管的动作。通过使从第1灯信号成发出的亮度信号的电压渐减或渐增，控制对OLED的通电。

公开(公告)号：CN1154188C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN97129755.X

申请日：1997-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/0491 ,  G11C2211/5612 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7887

Abstract: 一种包括源-漏区、沟道区、浮栅和控制栅的存储单元。所述浮栅被彼此靠近地布置在栅绝缘层上沟道区的上方，控制栅被布置在一个绝缘层和另一个绝缘层上浮栅的上方，这两个层都是用LOCOS方法形成的。利用所述绝缘层在浮栅的上角形成突起部分。控制栅的中心部分被置于绝缘层上所述沟道区的上方以形成选择栅。选择晶体管包括在两个源-漏区之间的这个选择栅。

公开(公告)号：CN1189696A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97129755.X

申请日：1997-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田光一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0475 ,  G11C16/0491 ,  G11C2211/5612 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7887

Abstract: 一种包括源－漏区、沟道区、浮栅和控制栅的存储单元。所述浮栅被彼此靠近地布置在栅绝缘层上沟道区的上方,控制栅被布置在一个绝缘层和另一个绝缘层上浮栅的上方,这两个层都是用LOCOS方法形成的。利用所述绝缘层在浮栅的上角形成突起部分。控制栅的中心部分被置于绝缘层上所述沟道区的上方以形成选择栅。选择晶体管包括在两个源－漏区之间的这个选择栅。