公开(公告)号：CN111944320B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202010411761.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  赵炫洙 ,  金义贤 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN112409824A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010771243.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  姜明镐 ,  张胜宇 ,  卢健培

IPC: C09D1/00 ,  H01L21/316

Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气，且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1：[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。

公开(公告)号：CN105492540B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480048288.8

申请日：2014-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  文炯朗 ,  禹昌秀 ,  李雨晋 ,  田桓承 ,  韩东一

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/06 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明涉及一种用于密封有机发光二极管的组合物，包含：(A)含有不饱和基团的有机聚硅氧烷；(B)含有化学式1的不饱和基团和环氧基的有机聚硅氧烷；(C)含有Si‑H基团的有机硅酮化合物；和(D)化学式15的铂催化剂，并且涉及使用其制造的有机发光二极管显示装置。