公开(公告)号：CN1794431A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN1670909A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。