-
公开(公告)号:CN101042972A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200710087484.8
申请日:2007-03-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置,其包括:第一电极;形成于所述第一电极上的电子发射区域;和位于所述第一电极上的第二电极,其中一绝缘层介于所述第一和第二电极之间。该绝缘层和第二电极被设置以用于暴露出所述电子发射区域的开口。本发明还提供一种制造方法,包括:在所述第二电极上形成带有开口的掩模层;通过使用所述掩模层蚀刻该第二电极,形成第二电极上的开口;通过湿式蚀刻所述绝缘层,在所述绝缘层中形成开口,该绝缘层中的开口的上宽度大于第二电极中开口的宽度;通过蚀刻第二电极的与绝缘层中的开口相对应的暴露部分,扩大所述第二电极中的开口;并且去除所述掩模层。
-
公开(公告)号:CN1873888A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610055094.8
申请日:2006-03-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/242 , H01J9/241 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2329/8625 , H01J2329/863
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置,其实施例包括:彼此面对的第一和第二基板,单元像素定义在所述第一和第二基板上;电子发射单元,其在所述第一基板上;磷光体层,其在所述第二基板的面对所述第一基板的表面上,每个磷光体层对应于至少一个单元像素;非发光区域,其在所述磷光体层之间;以及间隔物,其置于所述第一和所述第二基板之间且布置在所述非发光区域,其中所述非发光区域包括加载有所述间隔物的间隔物加载区域,其中所述间隔物加载区域的宽度和所述单元像素的节距满足下面的条件:A/B≥约0.2,其中A表示所述间隔物加载区域的宽度,B表示沿所述间隔物加载区域的宽度定位的所述单元像素的节距。
-
公开(公告)号:CN1801424A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510126969.4
申请日:2005-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/022 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J63/02
Abstract: 一种电子发射装置,包括在基板方向上设置在基板上的第一电极,和设置在基板表面并覆盖整个第一电极的绝缘层。第二电极设置在绝缘层上并且垂直于第一电极。电子发射区与第一和第二电极中的一个连接。第一电极的侧边和第二电极的侧边分别彼此交叉。
-
公开(公告)号:CN1670885A
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN200510065639.9
申请日:2005-02-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/022
Abstract: 一种电子发射装置,包括在基板上形成的栅电极。该栅电极位于第一平面。绝缘层在栅电极上形成。阴极在绝缘层上形成。电子发射区域与阴极电连接。该电子发射区域位于第二平面。此外,电子发射装置包括基本位于电子发射区域的第二平面的反电极。栅电极和反电极用于接收相同的电压,在至少一个电子发射区域和至少一个反电极之间的距离D满足如下条件:1(μm)≤D≤28.1553+1.7060t(μm),其中t表示绝缘层的厚度。
-
公开(公告)号:CN1649072A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200410082061.3
申请日:2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/467
Abstract: 一种电子发射装置,包括彼此有预定间隙的相互面向设置的第一基板和第二基板。在第一基板上形成用于发射电子的电子发射区域,在第二基板上形成响应于从电子发射区域发射的电子来显示图像的照明部分。安装在第一和第二基板之间的栅网电极被配置用来聚焦从电子发射组件发射的电子。栅网电极被提供多个电子通道开口,至少一个电子通道开口的内壁的至少一部分形成相对于第一基板的斜面。凭借上述结构的电子发射装置,栅网电极防止和/或减少了电子的一个或多个行进路程的变化,从而防止和/或减少错误像素照亮,且总体色纯度得以提高。
-
-
-
-