公开(公告)号：CN109427907A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810985594.4

申请日：2018-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  金正泽 ,  金利桓 ,  宋宇彬 ,  申东石 ,  李承烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。

公开(公告)号：CN104600070A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601952.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。

公开(公告)号：CN101414608A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810129778.7

申请日：2008-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  李商文 ,  田重锡 ,  白光铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS装置包括：外延层，可形成在基底上；第一半导体层和第二半导体层，可分别形成在外延层的不同区域上；PMOS晶体管和NMOS晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。