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公开(公告)号：CN107057173A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710084565.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L23/08 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L33/50 , H01L33/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , C08K3/30 , C08K2003/3036 , H01L33/005 , H01L2251/30 , H01L2251/50 , H01L2933/0058 , C08L23/0869
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN106957652A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , C09K11/025 , C09K11/615 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/34 , C09K11/722 , B82Y30/00 , C08K9/10 , C09K2211/14 , H01L33/502 , C08L35/02
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
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公开(公告)号：CN103059393B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210405260.8
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN103080081B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180042256.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G75/045 , C08L81/02 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 用于制造发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
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公开(公告)号：CN113867045B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111049787.7
申请日：2015-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02B6/00
Abstract: 本公开提供了光源以及包括光源的背光单元和液晶显示器。光源包括发射光的发光元件和将从发光元件发射的光转变为白光并发射该白光的光转换层，其中光转换层包括树脂以及与树脂混合的量子点材料，白光的彩色区的红色顶点在色坐标中位于0.65
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110746958B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III‑V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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公开(公告)号：CN114686211A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111624492.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法。发光器件包括第一导电层、第二导电层、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层，所述发光层包括发光纳米结构体，其中所述发光层配置成发射绿色光，所述发光层不包括镉、铅、或其组合，所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物，III‑V族化合物包括铟、磷、和任选地锌，锌硫属化物包括锌、硒和硫，所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿结构，并且在通过电子显微镜法分析获得的发光纳米结构体的二维图像中，所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于约0.8。
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公开(公告)号：CN106957652B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
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公开(公告)号：CN112442371A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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